[实用新型]一种高雪崩耐量的屏蔽栅MOSFET器件有效
| 申请号： | 202121100113.0 | 申请日： | 2021-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN214956891U | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 王艳颖 | 申请（专利权）人： | 上海道之科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 | 代理人： | 陈琦;陈继亮 |
| 地址： | 201800*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高雪崩耐量的屏蔽栅MOSFET器件，屏蔽栅MOSFET器件分为终端区和原胞区，且终端区和原胞区均主要包括依次设置的衬底层和外延层，外延层上设置有沟槽；其制造方法包括如下步骤：在选定的外延硅衬底上进行沟槽刻蚀；生长牺牲氧化层；利用一块掩膜版去掉原胞区的牺牲氧化层，保留终端沟槽中的氧化层；通过热氧化或热氧化加沉积氧化层方式制备场氧化层；屏蔽栅多晶硅填充；栅氧化层生长；栅多晶硅填充；体区注入及退火；光刻源区并进行源区注入；光刻接触孔，刻蚀绝缘层，溅射顶层金属，光刻刻蚀顶层金属，淀积钝化层，光刻刻蚀钝化层，完成顶层结构的制作；最后进行圆片减薄以及背面金属淀积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 雪崩 屏蔽 mosfet 器件 | ||
【主权项】：
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