[实用新型]一种高雪崩耐量的屏蔽栅MOSFET器件有效
| 申请号： | 202121100113.0 | 申请日： | 2021-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN214956891U | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 王艳颖 | 申请（专利权）人： | 上海道之科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 | 代理人： | 陈琦;陈继亮 |
| 地址： | 201800*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 雪崩 屏蔽 mosfet 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种高雪崩耐量的屏蔽栅MOSFET器件，包括MOSFET器件本体，其特征在于：所述MOSFET器件本体分为终端区和原胞区，且所述终端区和原胞区均主要包括依次设置的衬底层和外延层，该外延层上设置有向内凹陷的沟槽；所述终端区的沟槽内设置有屏蔽栅多晶硅及布置在屏蔽栅多晶硅和沟槽之间的终端厚场氧化层，终端区的上表面由内到外依次设置有牺牲氧化层、场氧化层、栅氧化层及介质层；所述原胞区的沟槽内设置有屏蔽栅多晶硅及布置在屏蔽栅多晶硅和沟槽之间的场氧化层，原胞区的上表面刻蚀有与原胞区内的沟槽连通的刻蚀槽，该刻蚀槽内布置有栅多晶硅和栅氧化层，且相邻两刻蚀槽之间设置有上下依次布置的源区和体区；所述栅多晶硅和栅氧化层的上表面设置有介质层，该介质层内设置有若干接触孔。
2.根据权利要求1所述的屏蔽栅MOSFET器件，其特征在于：所述终端区内的终端厚场氧化层包括由内到外依次设置的牺牲氧化层和场氧化层，终端区内介质层的厚度大于牺牲氧化层、场氧化层和栅氧化层的厚度之和；所述原胞区内的刻蚀槽深度为0~1um。
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