[实用新型]一种半导体保护器件有效
| 申请号： | 202120334993.1 | 申请日： | 2021-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN214753762U | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 吕海凤;赵德益;王允;蒋骞苑 | 申请（专利权）人： | 上海维安半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/08 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 党蕾 |
| 地址： | 201323 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体保护器件，属于半导体技术领域，包括：一衬底；一外延层，设置于衬底的上表面；一二极管器件，形成于外延层中，二极管器件的正向电极连接至一第一端口，二极管器件的负向电极连接至一第二端口；一二端双结器件，形成于外延层中，二端双结器件包括一第一电极及一第二电极，第一电极连接第一端口，第二电极连接第二端口。本技术方案具有如下优点或有益效果：通流路径更短，在提高单位面积的浪涌能力的同时，降低钳位电压，适应于更多应用需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 保护 器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
