[实用新型]一种半导体保护器件

说明书

本实用新型公开了一种半导体保护器件，属于半导体技术领域，包括：一衬底；一外延层，设置于衬底的上表面；一二极管器件，形成于外延层中，二极管器件的正向电极连接至一第一端口，二极管器件的负向电极连接至一第二端口；一二端双结器件，形成于外延层中，二端双结器件包括一第一电极及一第二电极，第一电极连接第一端口，第二电极连接第二端口。本技术方案具有如下优点或有益效果：通流路径更短，在提高单位面积的浪涌能力的同时，降低钳位电压，适应于更多应用需求。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体保护器件。

背景技术

瞬态电压抑制二极管(Transient Voltage Suppressor，TVS)是一种高效能的静电浪涌保护器件，在电路中起到重要作用。随着消费类电子产品的迅速发展，由于其集成有更丰富的应用，更大的屏幕、更高分辨率和更强悍的性能，该类电子产品在通讯功能、社交办公、休闲娱乐等领域发挥着越来越重要的角色。在电子产品中增加TVS保护器件，以保护电子系统免于高能量的暂态脉冲的破坏，例如静电放电(Electrostatic Discharge，ESD)、雷击浪涌Surge、电快速瞬态脉冲(Electrical Fast Transient，EFT)等。

TVS保护器件的钳位电压会落在后级主芯片上，若钳位电压过高，在泄放浪涌时，会损坏后级电路，因此，钳制电压关系着保护能力的优劣，如何提高单位面积浪涌能力，同时降低钳位电压，是需要长期专注的课题。

专利文件CN210272371U公开了一种低残压大浪涌的单向骤回TVS器件，如图1所示，其形成于N型衬底100、P型外延101上，通过在外延层上植入掺杂阱区102，再在掺杂阱区102上植入高浓度N型掺杂区103和P型掺杂区104，并采用DTI隔离，IO-G方向是二极管的PN结方向，G-IO是NPN三级管NPN结方向，由于三极管的浪涌能力较强，且三级管具有负阻效应，相比普通单向二极管，该单向骤回TVS器件的钳位电压有所降低，但由于其通流路径经过硅基，寄生电阻较大，钳位电压增加，因此亟需提出一种新型的半导体保护器件，来克服现有技术中出现的上述问题。

发明内容

针对现有技术中存在的上述问题，现提供一种半导体保护器件，具体技术方案如下所示：

一种半导体保护器件，包括：

一衬底；

一外延层，设置于所述衬底的上表面；

一二极管器件，形成于所述外延层中，所述二极管器件的正向电极连接至一第一端口，所述二极管的负向电极连接至一第二端口；

一二端双结器件，形成于所述外延层中，所述二端双结器件包括一第一电极及一第二电极，所述第一电极连接所述第一端口，所述第二电极连接所述第二端口。

优选地，所述二端双结器件包括：

一第一二极管，所述第一二极管的正向电极连接所述第一端口；

一第二二极管，所述第二二极管的正向电极连接所述第二端口，所述第一二极管的负向电极连接所述第二二极管的负向电极；或者

一第一二极管，所述第一二极管的负向电极连接所述第一端口；

一第二二极管，所述第二二极管的负向电极连接所述第二端口，所述第一二极管的正向电极连接所述第二二极管的正向电极。

优选地，还包括：

一第一隔离结构，形成于所述外延层中，且纵向的自所述外延层的上表面贯穿所述外延层至所述衬底的上部，所述二极管器件及所述二端双结器件被所述第一隔离结构隔离。

优选地，所述二极管器件包括：

一第一掺杂区，形成于所述外延层中，并于所述外延层上表面引出所述正向电极或所述负向电极的其中一个；