[发明专利]一种裸硅封装MOS管在审
| 申请号： | 202111568229.1 | 申请日： | 2021-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN114512451A | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 涂振坤;苗义敬;王泽斌 | 申请（专利权）人： | 普森美微电子技术（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/32 | 分类号： | H01L23/32;H01L23/13;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种裸硅封装MOS管，包括基板、陶瓷座、MOS管的主体、定位结构、调节座结构以及快速固定结构，所述陶瓷座固定安装于基板的上端表面处，所述陶瓷座的上端表面处开设有两个定位槽，所述主体通过定位结构安装于陶瓷座的上端表面处，且所述定位结构与定位槽连接，所述陶瓷座的上端表面横向开设有两道调节槽，所述陶瓷座的上端表面处开设有一个螺纹槽，所述调节座结构活动安装于陶瓷座上端表面的两道调节槽处，所述快速固定结构安装于调节座结构处，且所述快速固定结构与定位结构连接。本发明在封装安装MOS管时，操作简单，省时省力，大大提高了工作效率，且封装安装后的MOS管稳定性较高，整体实用性较高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 封装 mos | ||
【主权项】：
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