[发明专利]一种裸硅封装MOS管在审
| 申请号： | 202111568229.1 | 申请日： | 2021-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN114512451A | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 涂振坤;苗义敬;王泽斌 | 申请（专利权）人： | 普森美微电子技术（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/32 | 分类号： | H01L23/32;H01L23/13;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 封装 mos | ||
1.一种裸硅封装MOS管，包括基板(1)、陶瓷座(2)、MOS管的主体(3)、定位结构、调节座结构以及快速固定结构，其特征在于：所述陶瓷座(2)固定安装于基板(1)的上端表面处，所述陶瓷座(2)的上端表面处开设有两个定位槽(4)，所述主体(3)通过定位结构安装于陶瓷座(2)的上端表面处，且所述定位结构与定位槽(4)连接，所述陶瓷座(2)的上端表面横向开设有两道调节槽(5)，所述陶瓷座(2)的上端表面处开设有一个螺纹槽(6)，所述调节座结构活动安装于陶瓷座(2)上端表面的两道调节槽(5)处，所述快速固定结构安装于调节座结构处，且所述快速固定结构与定位结构连接。
2.根据权利要求1所述的一种裸硅封装MOS管，其特征在于：所述定位结构包括两个定位板(7)，两个所述定位板(7)均为L型板，两个所述定位板(7)分别固定安装于主体(3)的顶部处，且两个所述定位板(7)的L型转折面分别与主体(3)的前后两侧处贴合，且两个所述定位板(7)分别与两个定位槽(4)卡合连接，所述定位板(7)的尺寸与定位槽(4)的尺寸相匹配。
3.根据权利要求2所述的一种裸硅封装MOS管，其特征在于：两个所述定位板(7)的上端表面处均开设有限位槽(8)。
4.根据权利要求1所述的一种裸硅封装MOS管，其特征在于：所述调节座结构包括调节板(9)、安装板(10)、侧面板(11)以及固定旋钮(12)，所述调节板(9)的底部通过多个连接件与两道调节槽(5)活动连接，所述安装板(10)为L型，所述安装板(10)固定安装于调节板(9)的上端表面处，所述侧面板(11)固定安装于调节板(9)的一侧处，所述固定旋钮(12)的一端通过螺纹连接贯穿侧面板(11)，且所述固定旋钮(12)与螺纹槽(6)螺纹连接。
5.根据权利要求4所述的一种裸硅封装MOS管，其特征在于：所述安装板(10)的L型转折处斜角度设置有加强板(13)。
6.根据权利要求1所述的一种裸硅封装MOS管，其特征在于：所述快速固定结构包括压板(14)和紧固旋钮(15)，所述压板(14)通过多个伸缩连接杆(16)安装于安装板(10)的L型转折面底部处，所述紧固旋钮(15)的一端通过螺纹连接贯穿安装板(10)，且所述紧固旋钮(15)通过轴承与压板(14)的顶部处转动连接，所述压板(14)的底部设置有两个限位块(17)，且两个所述限位块(17)分别与两个限位槽(8)卡合连接，所述限位块(17)的尺寸与限位槽(8)的尺寸相匹配。
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