[发明专利]一种裸硅封装MOS管

说明书

本发明公开了一种裸硅封装MOS管，包括基板、陶瓷座、MOS管的主体、定位结构、调节座结构以及快速固定结构，所述陶瓷座固定安装于基板的上端表面处，所述陶瓷座的上端表面处开设有两个定位槽，所述主体通过定位结构安装于陶瓷座的上端表面处，且所述定位结构与定位槽连接，所述陶瓷座的上端表面横向开设有两道调节槽，所述陶瓷座的上端表面处开设有一个螺纹槽，所述调节座结构活动安装于陶瓷座上端表面的两道调节槽处，所述快速固定结构安装于调节座结构处，且所述快速固定结构与定位结构连接。本发明在封装安装MOS管时，操作简单，省时省力，大大提高了工作效率，且封装安装后的MOS管稳定性较高，整体实用性较高。

技术领域

本发明涉MOS管封装技术领域，具体为一种裸硅封装MOS管。

背景技术

MOS管，是MOSFET的缩写，MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管，一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体，而MOS管需要进行封装安装后才能进行使用。

但是，现有的MOS管封装时存在以下缺点：

1、封装操作繁琐复杂，导致封装过程费时费力，从而使得MOS管的封装效率较低。

2、封装后的稳定性较差，导致MOS管封装后还是易出现移动滑动的情况而影响到其正常的使用，实用性较差。

发明内容

本发明的目的在于提供一种裸硅封装MOS管，以解决传统的MOS管封装时封装操作繁琐复杂，导致封装过程费时费力，从而使得MOS管的封装效率较低，且封装后的稳定性较差，导致MOS管封装后还是易出现移动滑动的情况而影响到其正常的使用，实用性较差的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种裸硅封装MOS管，包括基板、陶瓷座、MOS管的主体、定位结构、调节座结构以及快速固定结构，所述陶瓷座固定安装于基板的上端表面处，所述陶瓷座的上端表面处开设有两个定位槽，所述主体通过定位结构安装于陶瓷座的上端表面处，且所述定位结构与定位槽连接，所述陶瓷座的上端表面横向开设有两道调节槽，所述陶瓷座的上端表面处开设有一个螺纹槽，所述调节座结构活动安装于陶瓷座上端表面的两道调节槽处，所述快速固定结构安装于调节座结构处，且所述快速固定结构与定位结构连接。

优选的，所述定位结构包括两个定位板，两个所述定位板均为L型板，两个所述定位板分别固定安装于主体的顶部处，且两个所述定位板的L型转折面分别与主体的前后两侧处贴合，且两个所述定位板分别与两个定位槽卡合连接，所述定位板的尺寸与定位槽的尺寸相匹配。

优选的，两个所述定位板的上端表面处均开设有限位槽。

优选的，所述调节座结构包括调节板、安装板、侧面板以及固定旋钮，所述调节板的底部通过多个连接件与两道调节槽活动连接，所述安装板为L型，所述安装板固定安装于调节板的上端表面处，所述侧面板固定安装于调节板的一侧处，所述固定旋钮的一端通过螺纹连接贯穿侧面板，且所述固定旋钮与螺纹槽螺纹连接。

优选的，所述安装板的L型转折处斜角度设置有加强板。

优选的，所述快速固定结构包括压板和紧固旋钮，所述压板通过多个伸缩连接杆安装于安装板的L型转折面底部处，所述紧固旋钮的一端通过螺纹连接贯穿安装板，且所述紧固旋钮通过轴承与压板的顶部处转动连接，所述压板的底部设置有两个限位块，且两个所述限位块分别与两个限位槽卡合连接，所述限位块的尺寸与限位槽的尺寸相匹配。

本发明提供了一种裸硅封装MOS管，具备以下有益效果：