[发明专利]一种碳化硅功率器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111562426.2 | 申请日： | 2021-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN114284358A | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 魏进;崔家玮;杨俊杰 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/16;H01L29/167;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种碳化硅功率器件及其制备方法。所述器件为纵向结构的碳化硅MOSFET，包括自下而上依次设置的漏极、N |
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| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 功率 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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