[发明专利]一种半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202111448618.0 | 申请日： | 2021-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN116207135A | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 孔真真;王桂磊;张毅文;亨利·H·阿达姆松;杜勇;苗渊浩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/165 | 分类号： | H01L29/165;H01L29/66 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 赵永刚 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构包括基底，基底上方形成有锗虚拟衬底层，锗虚拟衬底层上方形成有锗硅逆渐变缓冲层，锗硅逆渐变缓冲层上方形成有第一锗硅限制层，第一锗硅限制层上形成有锗量子阱层，锗量子阱层上形成有第二锗硅限制层，在第二锗硅限制层上形成有硅帽层。通过依次形成锗虚拟衬底层和锗硅逆渐变缓冲层，然后在锗硅逆渐变缓冲层上依次形成第一锗硅限制层、锗量子阱层和第二锗硅限制层，通过调节锗硅逆渐变缓冲层的过度程度，可调控锗量子阱层的应变大小，形成可限制载流子的包含高迁移率二维空穴气的异质结结构，改善核自旋干扰现象，便于与大规模硅基CMOS相兼容，降低制备成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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