[发明专利]半导体结构的制作方法及半导体结构在审
| 申请号： | 202111440471.0 | 申请日： | 2021-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN114141712A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 肖德元;余泳;邵光速 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京名华博信知识产权代理有限公司 11453 | 代理人： | 李俊红 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构，涉及半导体技术领域。该半导体结构的制作方法包括：提供基底；于基底上形成硅柱；对硅柱预设处理，形成具有第一段、第二段和第三段的有源柱，第二段包括第一子段和第二子段，第二子段的横截面面积小于第一子段的横截面面积；形成栅氧化层；形成环绕第二段设置的字线结构，字线结构包括材料不同的第一字线结构和第二字线结构。本公开通过在栅氧化层上设置不同材料的第一字线结构和第二字线结构，且第一子段和第二子段上形成字线结构的厚度不同，使得第二段两端的电势不同，有利于控制半导体结构的关断电流，减少栅极诱导漏极泄漏电流和带间隧穿的问题，有效提高半导体结构的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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