[发明专利]一种抗辐照金属氧化物半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111439125.0 | 申请日： | 2021-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN114093847A | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 毕津顺;马越;韩婷婷;季兰龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王文思 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种抗辐照金属氧化物半导体器件及其制备方法，其中，该抗辐照金属氧化物半导体器件包括：氧化埋层，在氧化埋层下表面的中部被刻蚀减薄形成一凹槽，凹槽底部即氧化埋层被刻蚀减薄部分为第一氧化埋层，凹槽侧部即氧化埋层未被刻蚀部分为第二氧化埋层，金属氧化物半导体器件，形成于第一氧化埋层的上表面，背板，形成于凹槽内且突出于凹槽，衬底，形成于第二氧化埋层的下表面，冗余层，形成于衬底的下表面。该抗辐照金属氧化物半导体器件将金属氧化物半导体器件对应位置的氧化埋层减薄，再在减薄处设置背板，使氧化埋层中的总剂量辐射产生的固定电荷数量减少使总剂量辐射导致的金属氧化物半导体器件参数飘移的情况被缓解。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 辐照 金属 氧化物 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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