[发明专利]一种抗辐照金属氧化物半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种抗辐照金属氧化物半导体器件，其特征在于，包括：

氧化埋层(2)，在所述氧化埋层(2)下表面的中部被刻蚀减薄形成一凹槽，所述凹槽底部即所述氧化埋层(2)被刻蚀减薄部分为第一氧化埋层(21)，所述凹槽侧部即所述氧化埋层(2)未被刻蚀部分为第二氧化埋层(22)；

金属氧化物半导体器件(1)，形成于所述第一氧化埋层(21)的上表面；

背板(4)，形成于所述凹槽内且突出于所述凹槽；

衬底(3)，形成于所述第二氧化埋层(22)的下表面；以及

冗余层(5)，形成于所述衬底(3)的下表面。

2.根据权利要求1所述的抗辐照金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述第一氧化埋层(21)的厚度小于10nm。

3.根据权利要求1所述的抗辐照金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述背板(4)和所述冗余层(5)的厚度和材料均相同。

4.根据权利要求1所述的抗辐照金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述第一氧化埋层(21)的面积大于所述金属氧化物半导体器件(1)与所述第一氧化埋层(21)的接触面积。

5.一种抗辐照金属氧化物半导体器件制备方法，其特征在于，适用于如权利要求1-4中任一项所述的抗辐照金属氧化物半导体器件的制备，晶圆的衬底(3)上制作有氧化埋层(2)，所述方法包括：

在所述氧化埋层(2)的上表面的中部制作金属氧化物半导体器件(1)；

从所述衬底(3)的下表面的中部进行刻蚀，直至所述氧化埋层(2)的中部被刻蚀至满足预设尺寸条件，形成一凹槽；

在所述凹槽内和所述衬底(3)的下表面采用同样的方法一次生成背板(4)和冗余层(5)；

当所述背板(4)突出于所述凹槽时，完成所述抗辐照金属氧化物半导体器件的制备。

6.根据权利要求5所述的抗辐照金属氧化物半导体器件制备方法，其特征在于，所述在所述氧化埋层(2)的上表面的中部制作金属氧化物半导体器件(1)之后，所述方法还包括：

从所述衬底(3)的下表面进行刻蚀将所述衬底(3)减薄至第一预设尺寸。

7.根据权利要求6所述的抗辐照金属氧化物半导体器件制备方法，其特征在于，所述第一预设尺寸为400微米。

8.根据权利要求5所述的抗辐照金属氧化物半导体器件制备方法，其特征在于，所述预设尺寸条件为小于10纳米。

9.根据权利要求5所述的抗辐照金属氧化物半导体器件制备方法，其特征在于，所述背板(4)和所述冗余层(5)的制作方法包括淀积掺杂和外延掺杂中任一种。

10.根据权利要求9所述的抗辐照金属氧化物半导体器件制备方法，其特征在于，所述淀积掺杂和所述外延掺杂中掺杂的杂质为N型杂质或P型杂质，掺杂浓度大于1×10¹⁸cm^-3。