[发明专利]封装结构及封装结构的形成方法在审
| 申请号： | 202111370112.2 | 申请日： | 2021-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN114038814A | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 刘在福;曾昭孔;郭瑞亮 | 申请（专利权）人： | 苏州通富超威半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/56;H01L23/29;H01L23/535 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 朱得菊;唐嘉 |
| 地址： | 215021 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种封装结构及其形成方法，结构包括：基板；固定于基板上的晶片，所述晶片包括相对的功能面和非功能面，所述晶片的非功能面固定于基板表面，所述晶片的面积小于所述基板的面积；位于基板上的第一钝化层，所述第一钝化层还位于晶片的顶部表面和侧壁表面；位于第一钝化层上和晶片上的再布线层，所述再布线层与晶片电连接；位于再布线层上的焊接层，所述焊接层与晶片上的再布线层电连接。所述封装结构的翘曲度得到改善。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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