[发明专利]一种碳化硅外延生长装置

摘要

本申请公开一种碳化硅外延生长装置。该外延生长装置包括：气体供给系统，该气体供给系统包括：前端模块及后端模块，前端模块用以接入反应气体，前端模块的输出连接后端模块，后端模块的气路都配置有匹配对应至少一种反应气体类型的分支流路，每个分支流路的流路的数量与多腔室喷淋头装置的进气腔n的数量相等，每个气路分支都设置一个压力控制器和n‑1个流量控制器,后端模块用以调整引入多腔室喷淋头装置前的反应气体、载气或保护气体。该气体供给系统中气路分支的流量由n‑1个MFC来设置决定，安装PC这一路的气体流量等于分支前部进气总流量减去安装MFC的分支的总流量，这样的好处在于不会产生进口流量跟出口流量总数不符的问题。