[发明专利]一种碳化硅外延生长装置

权利要求书

1.一种碳化硅外延生长装置，其特征在于，包括：

反应模块，所述反应模块上安装有多腔室喷淋头装置，所述多腔室喷淋头装置连接至气体供给系统，

所述气体供给系统包括：前端模块及后端模块，

所述前端模块用以接入反应气体，所述前端模块的输出连接后端模块，

所述后端模块的气路都配置有匹配对应至少一种反应气体类型的分支流路，每个所述分支流路的分支的数量与所述多腔室喷淋头装置的进气腔n的数量相等，每个分支流路中都设置一个压力控制器和n-1个流量控制器,

所述后端模块用以调整引入多腔室喷淋头装置前的反应气体、载气或保护气体。

2.如权利要求1所述的碳化硅外延生长装置，其特征在于，

所述多腔室喷淋头装置包括：

本体，所述本体内配置有腔体，所述腔体内配置有隔板，所述隔板将腔体分成上下2层空间，

上层空间的腔体从内到外依次的配置有相互隔离的内圈进气腔、环形的中圈进气腔、环形的外圈进气腔和最外侧的环形的外围吹扫腔。

3.如权利要求2所述的碳化硅外延生长装置，其特征在于，

所述内圈进气腔、环形的中圈进气腔及环形的外圈进气腔的下方侧配置有匹配的匀气板，匀气后的气体流入下层空间的腔体后，分别经匹配的出气管引导至反应腔内。

4.如权利要求3所述的碳化硅外延生长装置，其特征在于，还包括：环形的外围吹扫腔，其与所述内圈进气腔、环形的中圈进气腔及环形的外圈进气腔同层配置且位于环形的外圈进气腔的外侧。

5.如权利要求2所述的碳化硅外延生长装置，其特征在于，

所述内圈进气腔通过内圈进气管连接至后端模块，

所述环形的中圈进气腔通过中圈进气管连接至后端模块，

所述环形的外圈进气腔通过外圈进气管连接至后端模块，

所述最外侧的环形的外围吹扫腔通过外围进气管连接至后端模块。

6.如权利要求5所述的碳化硅外延生长装置，其特征在于，

所述内圈进气管，中圈进气管，外圈进气管及外围进气管分别连接至常开阀的一端以及常闭阀的一端，

所述常开阀的另一端经管道连接保护气体源，所述常闭阀的另一端经管道连接载气进气管。

7.如权利要求6所述的碳化硅外延生长装置，其特征在于，

所述内圈进气管、中圈进气管、外圈进气管及外围进气管上分别有匹配的流量控制器。

8.如权利要求1所述的碳化硅外延生长装置，其特征在于，

所述分支流路包括：第一支路、第二支路及第三支路，

其中，第一支路上配置有压力控制器，第二支路及第三支路上分别配置有流量控制器，

所述第一支路经管道连接至内圈进气管，

所述第二支路经管道连接至外圈进气管，

所述第三支路经管道连接至中圈进气管。

9.如权利要求1所述的碳化硅外延生长装置，其特征在于，

所述反应模块内具有反应腔，所述反应腔的底部配置有托盘，所述托盘用以容纳衬底，

所述托盘配置于旋转系统上，所述旋转系统的输出端连接驱动部，

基于驱动部的驱动，所述旋转系统旋转，进而带动所述托盘旋转，所述托盘旋转带动其上的衬底同步旋转。

10.如权利要求1所述的碳化硅外延生长装置，其特征在于，

所述反应模块的侧壁上配置有抽气口，所述抽气口通过抽气管连接真空泵。