[发明专利]三维存储器及其制备方法、电子设备

摘要

本公开提供了一种三维存储器及其制备方法、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决提高三维存储器的结构稳定性的问题。所述三维存储器包括半导体层、叠层结构、沟道结构、第二介质层以及栅线隔离结构。叠层结构设置在半导体层上，包括交替叠置的第一介质层和栅极层。沟道结构贯穿叠层结构以及半导体层。第二介质层至少部分地设置在栅极层与沟道结构之间。栅线隔离结构贯穿叠层结构以及半导体层。栅线隔离结构包括绝缘隔离部，绝缘隔离部与半导体层接触。