[发明专利]三维存储器及其制备方法、电子设备

权利要求书

1.一种三维存储器，其特征在于，包括：

第一半导体结构，所述第一半导体结构包括：

半导体层；

叠层结构，设置在所述半导体层上，包括交替叠置的第一介质层和栅极层；

沟道结构，贯穿所述叠层结构以及所述半导体层；

第二介质层，至少部分地设置在所述栅极层与所述沟道结构之间；

栅线隔离结构，贯穿所述叠层结构和所述半导体层，所述栅线隔离结构包括绝缘隔离部，所述绝缘隔离部与所述半导体层接触。

2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，

所述第二介质层部分地还设置在所述第一介质层和所述栅极层之间。

3.根据权利要求1或2所述的三维存储器，其特征在于，

所述绝缘隔离部与所述第一介质层的侧面接触。

4.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，

所述半导体层为多晶硅层；和/或

所述第二介质层包括高介电常数材料。

5.根据权利要求2所述的三维存储器，其特征在于，

所述栅极层包括金属化合物层和导体层，所述金属化合物层设置在所述导体层和所述第二介质层之间。

6.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，还包括：

源极层，设置在所述半导体层远离所述叠层结构的一侧，所述沟道结构与所述源极层耦接。

7.根据权利要求6所述的三维存储器，其特征在于，

所述沟道结构包括：半导体沟道和功能层，所述功能层设置在所述半导体沟道和所述叠层结构之间，所述半导体沟道与所述源极层耦接；

所述功能层包括：隧穿层和电荷存储层，所述隧穿层设置在所述第二介质层和所述半导体沟道之间，所述电荷存储层设置在所述隧穿层和所述第二介质层之间；

其中，所述电荷存储层与所述第二介质层接触，或者，所述功能层还包括阻隔层，所述阻隔层设置在所述电荷存储层和所述第二介质层之间。

8.根据权利要求6所述的三维存储器，其特征在于，

所述栅线隔离结构还包括：导电部，所述导电部设置在所述绝缘隔离部内并延伸至所述源极层；；

所述导电部与所述源极层耦接。

9.根据权利要求6所述的三维存储器，其特征在于，还包括:

第二半导体结构，设置在所述第一半导体结构远离所述源极层的一侧；

所述第二半导体结构与所述第一半导体结构耦接。

10.一种三维存储器，其特征在于，包括：

叠层结构，包括交替叠置的第一介质层和栅极层；

沟道结构，贯穿所述叠层结构；

第二介质层，至少部分设置在所述栅极层与所述沟道结构之间；

栅线隔离结构，贯穿所述叠层结构，所述栅线隔离结构包括绝缘隔离部；

所述绝缘隔离部与所述第一介质层的侧面接触。

11.根据权利要求10所述的三维存储器，其特征在于，

所述沟道结构包括：半导体沟道和功能层，所述功能层设置在所述半导体沟道和所述叠层结构之间。

12.根据权利要求11所述的三维存储器，其特征在于，还包括：

源极层，所述半导体沟道与所述源极层耦接。

13.根据权利要求11所述的三维存储器，其特征在于，还包括：

半导体层和源极层，所述半导体层设置在所述源极层和所述叠层结构之间，所述绝缘隔离部和所述半导体层接触，所述半导体沟道与所述源极层耦接。

14.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1～13任一项所述的三维存储器。