[发明专利]制备方法、半导体结构、存储器及系统、电子设备

摘要

本申请实施例提供了一种三维存储器及其制备方法、半导体结构、存储系统、电子设备。三维存储器的制备方法包括：在衬底的一侧形成包括多个堆叠层的叠层结构；在所述叠层结构中形成第一顶部切口结构，所述第一顶部切口结构沿平行于所述衬底的第一方向延伸，并且至少穿透所述多个堆叠层中背离所述衬底一侧的堆叠层；在所述叠层结构中形成多个阶梯台阶；形成覆盖所述阶梯台阶的介质层；以及形成虚拟沟道孔以及顶部切口，其中所述顶部切口沿所述第一方向延伸，穿过所述介质层并延伸至阶梯台阶中的第一顶部切口结构内。