[发明专利]芯片堆叠结构及大功率窄脉冲半导体激光器在审
| 申请号： | 202111308378.4 | 申请日： | 2021-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN114121920A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 崔璐;王晓燕;张厚博;杨红伟;李晓红;王媛媛;王英顺;程义涛;车相辉;沈牧;房玉锁;赵欣;郭君 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01S5/026 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 张一 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种芯片堆叠结构及大功率窄脉冲半导体激光器，属于光电技术领域，包括：MOSFET芯片以及多个功能芯片，MOSFET芯片具有源极、漏极和栅极；多个功能芯片沿MOSFET芯片的高度方向堆叠于所述MOSFET芯片上，且最底层的功能芯片与MOSFET芯片的源极连接。本发明提供的大功率窄脉冲半导体激光器，采用芯片堆叠集成设计，突破电路二维布局和分立器件封装的限制，将电路所用所有电子元器件采用对应芯片元件，采用一定工艺方法将所有芯片沿高度方向集成，将激光器的电路布局和电连接距离降到最低，极大缩小了电路的寄生参数，提高大功率窄脉冲半导体激光器技术指标。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 堆叠 结构 大功率 脉冲 半导体激光器 | ||
【主权项】：
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