[发明专利]碳化硅单晶的制造方法及制造装置以及碳化硅单晶锭在审
| 申请号： | 202111193447.1 | 申请日： | 2021-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN114351253A | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 星乃纪博;镰田功穗;土田秀一;神田贵裕;冈本武志 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B25/10;C30B25/16;C30B25/08;C30B33/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张泽洲;张一舟 |
| 地址： | 日本爱知*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供能够得到使贯通位错等缺陷减少的碳化硅单晶的碳化硅单晶的制造方法及制造装置以及碳化硅单晶锭。得到使贯通位错等缺陷减少的碳化硅单晶。本发明的碳化硅单晶的制造方法为，通过将原料气体供给至配置有籽晶基板的反应容器内，并且将前述反应容器内加热至既定温度，使碳化硅单晶在前述籽晶基板的表面成长，其特征在于，具有第1工序和第2工序，在前述第1工序中，将前述反应容器内的温度控制成第1既定温度的状态，使碳化硅单晶在前述籽晶基板的表面成长，由此进行贯通位错的湮灭、或者贯通位错的合成，在前述第2工序中，在前述第1工序后将前述反应容器内的温度维持成第1既定温度的状态，由此使前述贯通位错的末端接近籽晶基板的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 制造 方法 装置 以及 单晶锭 | ||
【主权项】：
暂无信息
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