[发明专利]碳化硅单晶的制造方法及制造装置以及碳化硅单晶锭

权利要求书

1.一种碳化硅单晶的制造方法，通过将原料气体供给至配置有籽晶基板的反应容器内，并且将前述反应容器内加热至既定温度，使碳化硅单晶在前述籽晶基板的表面成长，其特征在于，

具有第1工序和第2工序，

在前述第1工序中，将前述反应容器内的温度控制成第1既定温度的状态，使碳化硅单晶在前述籽晶基板的表面成长，由此进行贯通位错的湮灭、或者贯通位错的合成，

在前述第2工序中，在前述第1工序后将前述反应容器内的温度维持成第1既定温度的状态，由此使前述贯通位错的末端接近籽晶基板的表面。

2.如权利要求1所述的碳化硅单晶的制造方法，其特征在于，

前述第2工序在前述碳化硅单晶的成长速度或蚀刻速度为0.1mm/h以内的情况下被进行。

3.如权利要求1或2所述的碳化硅单晶的制造方法，其特征在于，

前述第1既定温度在2400℃至2550℃的范围内，且前述碳化硅单晶的径向温度差为10℃以下。

4.如权利要求1或2所述的碳化硅单晶的制造方法，其特征在于，

前述第1工序的SiH₄气体分压为7.0kPa以上，C₃H₈气体分压为1.5kPa以上，前述第2工序的SiH₄气体分压为2.0kPa以上，C₃H₈气体分压为0.5kPa以上。

5.如权利要求1或2所述的碳化硅单晶的制造方法，其特征在于，

将通过前述第2工序减少贯通位错密度的碳化硅单晶作为籽晶基板用于碳化硅单晶成长。

6.一种碳化硅单晶的制造装置，实施权利要求1至5中任一项所述的碳化硅单晶的制造方法，其特征在于，

具备检测前述第1工序和前述第2工序的气体流量、温度且至少控制前述气体流量及前述温度的功能，

并且，具备与被储存的配方对应地控制前述气体流量及前述温度的装置。

7.一种碳化硅单晶锭，是使碳化硅单晶在籽晶基板的表面成长的碳化硅单晶锭，其特征在于，

在与贯通位错的湮灭的部位、或者贯通位错的合成的部位相比靠与前述籽晶基板相反的成长表面侧的碳化硅单晶的部位，存在前述湮灭的部位、或者前述合成的部位消除的低缺陷部位。

8.如权利要求7所述的碳化硅单晶锭，其特征在于，

前述低缺陷部位的前述贯通位错的密度为比该低缺陷部位靠前述籽晶基板侧的部位的前述贯通位错的密度的1/2以下。