[发明专利]一种SiC MOSFET器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111152374.1 | 申请日： | 2021-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN113764514A | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 任炜强;春山正光;谢文华;杨正友 | 申请（专利权）人： | 深圳真茂佳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/16;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人： | 朱鹏程 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及碳化硅功率器领域，公开了一种SiC MOSFET器件及其制备方法，SiC MOSFET器件包括衬底、外延底层、基层、源极层、栅极、栅介质层、沟道段、沟道长度减缩段、浮空段、隔离层、源极和漏极；SiC MOSFET器件基于如下方法制备，包括：在衬底的第一表面上形成外延底层和基层，在基层上形成源极层和基极结，在沟槽内形成栅极、栅介质层、沟道段、沟道长度减缩段和浮空段，在栅极层上形成隔离层，在隔离层和源极层上形成源极，在衬底第二表面上形成漏极。本申请的栅介质层缺陷密度低，击穿电压高，可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic mosfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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