[发明专利]一种半导体引线框架曝光缺陷检测方法在审
| 申请号： | 202111149163.2 | 申请日： | 2021-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN113592866A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 邓万宇;介佳豪;武敦海 | 申请（专利权）人： | 西安邮电大学 |
| 主分类号： | G06T7/00 | 分类号： | G06T7/00;G06T5/00;G06N3/04;G06N3/08 |
| 代理公司： | 西安新动力知识产权代理事务所(普通合伙) 61245 | 代理人： | 胡维 |
| 地址： | 710061 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明属于计算机视觉技术领域，涉及一种半导体引线框架曝光缺陷检测方法，当该方法其应用于某种类型的半导体引线框架模具时：首先对采集到的源图像进行二值化处理；再利用图像修复模型对二值化处理后的二值化图像A进行修复得到二值化图像B，所述图像修复模型采用生成式对抗网络训练模型，所述生成式对抗网络由生成器G和判别器D组成；最后通过对二值化图像A和二值化图像B进行比对，确定缺陷的准确位置，可实现对细小缺陷的检测，具有检测准确率高、检测时延短等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 引线 框架 曝光 缺陷 检测 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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