[发明专利]一种半导体引线框架曝光缺陷检测方法

权利要求书

1.一种半导体引线框架曝光缺陷检测方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

S1、获取半导体引线框架的源图像；

S2、对所述源图像进行预处理，得到二值化图像A；

S3、将所述二值化图像A输入训练好的图像修复模型，得到修复后的二值化图像B；所述图像修复模型采用生成式对抗网络训练模型，所述生成式对抗网络由生成器G和判别器D组成；

S4、将所述二值化图像A和二值化图像B进行比对，确定缺陷的准确位置。

2.根据权利要求1所述的半导体引线框架曝光缺陷检测方法，其特征在于，步骤S1、获取半导体引线框架的源图像，具体包括：

S1.1、利用图像采集平台采集半导体引线框架的源图像；

S1.2、将所述源图像通过图像采集卡传输至工控机。

3.根据权利要求1所述的半导体引线框架曝光缺陷检测方法，其特征在于，步骤S2中的预处理具体包括：

将所述源图像输入图像预处理模块，根据设定的二值化阈值value按照式（1）对图像进行二值化处理：

（1）

式（1）中，为二值化处理后的图像上每个位置的像素值，为通过GPU计算资源计算得到的源图像上每个位置的像素值。

4.根据权利要求1所述的半导体引线框架曝光缺陷检测方法，其特征在于，步骤S4、将所述二值化图像A和二值化图像B进行比对，得到缺陷的准确位置，具体包括：

S4.1、通过与或操作得到二值化图像A和二值化图像B之间的残差图；

S4.2、计算残差图所占的像素个数与二值化图像A总像素个数的比例，记作残差分数，如所述残差分数大于设定的残差阈值，则输入的图像存在缺陷；

S4.3、计算残差图的所有连通域，如面积达到设定的面积阈值，则对应所述面积的连通域为缺陷；

S4.4、通过求所有连通域的外接矩形确定缺陷的位置，并在源图像上标记出来。

5.根据权利要求1所述的半导体引线框架曝光缺陷检测方法，其特征在于，步骤S3中的生成器G由编码器和解码器组成，且所述编码器、解码器分别包括四层；

所述编码器和解码器的第一层到第四层分别使用8，6，4，4大小的卷积核，以提高图像修复模型在不同尺度的表现能力；

所述编码器的每层包含三个子层，分别为卷积层、批归一化层和激活层；所述解码器的前三层包含三个子层，分别为反卷积层、批归一化层和激活层，解码器的最后一层由反卷积层和Tanh激活函数组成；

所述编码器的第一层和解码器的第三层、编码器的第二层和解码器的第二层、编码器的第三层和解码器的第一层分别设置跳跃连接；

所述编码器采用LeakyReLU激活函数，所述解码器使用ReLU激活函数，所述LeakyReLU激活函数和ReLU激活函数的定义分别如下：

（2）

（3）

式（3）中，a是斜率。