[发明专利]半导体元件及其制备方法

摘要

本案公开一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一第一堆叠结构设置于一第一基底；一第一杂质区域与一第二杂质区域分别设置于该第一堆叠结构相对的侧边并与该第一堆叠结构操作性地关联；一第二堆叠结构设置于该第一堆叠结构，且一中间绝缘层设置于其间；及一第三杂质区域设置于该第二堆叠结构的一侧边，且与该第二杂质区域电性耦合。该第一堆叠结构包括交替地排列的多个第一半导体层与多个栅极组合。所述栅极组合包括一栅极介电层与一栅极电极。该第二堆叠结构包括交替地排列的多个第二半导体层与多个电容次单元。所述电容次单元包括一电容介电层与一电容电极。