[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质在审
| 申请号： | 202111069117.1 | 申请日： | 2021-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN114188214A | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 市村圭太;中山雅则;井川博登;竹岛雄一郎;舟木克典;岸本宗树;山角宥贵;坪田康寿;上田立志 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/67;H01J37/317;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 陈彦;李宏轩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质。在使用等离子体进行对基板的掺杂处理时，抑制堆积物的产生。本发明的半导体装置的制造方法中，通过进行以下工序来将基板的表面改性为含杂质层：向容纳所述基板的处理室内供给含有杂质的含杂质气体和稀释气体的气体供给工序、对含杂质气体和稀释气体进行等离子体激发的工序和将由等离子体激发而生成的含有杂质的活性种供给至基板的工序，在气体供给工序中，控制上述含杂质气体和上述稀释气体的流量比，以使得处理室内含杂质气体的分压成为比在上述处理室内含杂质气体会形成堆积物的分压小的预定分压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 处理 记录 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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