[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，

通过进行以下工序来将基板的表面改性为含杂质层：

向容纳所述基板的处理室内供给含有杂质的含杂质气体和稀释气体的气体供给工序，

对所述含杂质气体和所述稀释气体进行等离子体激发的工序，和

将由等离子体激发而生成的含有所述杂质的活性种供给至所述基板的工序；

在所述气体供给工序中，控制所述含杂质气体和所述稀释气体的流量比，以使得所述处理室内的所述含杂质气体的分压成为比在所述处理室内所述含杂质气体会形成包含聚合物的堆积物的分压小的预定分压。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述预定分压为0.01Pa以下。

3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述预定分压为0.002Pa以下。

4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述稀释气体包括含氢气体或惰性气体中的至少任一种。

5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中

所述杂质是硼、砷、磷、镓中的至少任一种。

6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述含杂质气体包括从由乙硼烷气体、三氯化硼气体和三氟化硼气体组成在组中选择的至少任一种。

7.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述基板的表面由含硅膜或含硅基底的至少任一种构成。

8.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述基板的表面由从由氧化硅膜、氮化硅膜和氮氧化硅膜组成的组中选择的至少任一种构成。

9.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

在所述进行等离子体激发的工序中，通过调整进行等离子体激发的高频电力的大小来控制在所述基板的表面形成的所述含杂质层的台阶覆盖率。

10.如权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其中，

在所述进行等离子体激发的工序中，进行调整以使得：通过降低所述高频电力的大小来增大所述含杂质层的台阶覆盖率。

11.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，

在所述基板的表面形成所述含杂质层后，通过进行以下工序来将所述含杂质层的表面改性为氧化层：

对含氧气体进行等离子体激发的工序，和

将由等离子体激发而生成的含有氧的活性种供给至所述基板的表面的工序。

12.如权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中，

在所述基板面上形成纵横比为20以上的高纵横比结构，

对于所述高纵横比结构的内表面，保形地形成所述氧化层。

13.如权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其中，

在所述高纵横比结构的内表面形成的所述氧化层的台阶覆盖率为70％以上。