[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质

说明书

本发明涉及半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质。在使用等离子体进行对基板的掺杂处理时，抑制堆积物的产生。本发明的半导体装置的制造方法中，通过进行以下工序来将基板的表面改性为含杂质层：向容纳所述基板的处理室内供给含有杂质的含杂质气体和稀释气体的气体供给工序、对含杂质气体和稀释气体进行等离子体激发的工序和将由等离子体激发而生成的含有杂质的活性种供给至基板的工序，在气体供给工序中，控制上述含杂质气体和上述稀释气体的流量比，以使得处理室内含杂质气体的分压成为比在上述处理室内含杂质气体会形成堆积物的分压小的预定分压。

技术领域

本公开涉及半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质。

背景技术

作为半导体装置的制造工序的一个工序，有通过等离子体对在基板的表面形成的膜进行改性的处理(例如，参考专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-183487号公报

发明内容

发明要解决的课题

作为上述半导体装置的制造工序的一个工序，例如进行使用含硼(B)气体对基板的表面注入(掺杂)作为杂质(掺杂剂)的B的基板处理工序，但会有在注入B时产生堆积物，堆积物附着在基板的表面的情况。

本公开的目的在于提供一种技术，在使用等离子体进行对基板的掺杂处理时，能够抑制堆积物的产生。

解决课题的方法

根据本公开的一个实施方式，提供一种半导体装置的制造方法，通过进行以下工序来将基板的表面改性为含杂质层：向容纳基板的处理室内供给含有杂质的含杂质气体和稀释气体的气体供给工序、对上述含杂质气体和上述稀释气体进行等离子体激发的工序和向上述基板供给由等离子体激发而生成的含有上述杂质的活性种的工序，在上述气体供给工序中，控制上述含杂质气体和上述稀释气体的流量比，以使得上述处理室内的上述含杂质气体的分压成为比在上述处理室内上述含杂质气体会形成包含聚合物的堆积物的分压小的预定分压。

发明效果

根据本公开，能够在使用等离子体进行对基板的掺杂处理时，抑制堆积物的产生。

附图说明

图1是本公开的一个实施方式中适合使用的基板处理装置100的概略构成图，是以纵截面图显示处理炉202部分的图。

图2是例示本公开的一个实施方式中的等离子体的产生原理的图。

图3是本公开的一个实施方式中适合使用的基板处理装置100的控制器221的概略构成图，是以框图显示控制器221的控制系统的图。

图4是显示由不同条件分别形成的含B层的拒水性、掺杂剂量和台阶覆盖率的测定结果的图。

图5中，图5的(A)是显示在基板表面具有堆积物时的基板的表面状态的图，图5的(B)是显示在基板表面没有堆积物时的基板的表面状态的图。

图6中，图6的(A)是显示对于基板分别供给3500W、2000W、500W的高频电力所形成的含B层中的B浓度的图，图6的(B)是显示对于基板使含B气体的供给时间为30秒或60秒而分别形成的含B层中的B浓度的图，图6的(C)是对于基板使含B气体的分压为0.002Pa、0.01Pa、0.05Pa、0.1Pa而分别形成的含B层中的B浓度的图。

图7中，图7的(A)是显示对于基板分别供给3500W、2000W、500W的高频电力所形成的含B层的台阶覆盖率的图，图7的(B)是显示对于基板使含B气体的供给时间为30秒或60秒而分别形成的含B层的台阶覆盖率的图，图7的(C)是对于基板使含B气体的分压为0.002Pa、0.01Pa、0.05Pa、0.1Pa而分别形成的含B层的台阶覆盖率的图。