[发明专利]一种在硅基材表面形成二氧化硅薄膜的制备设备在审

专利信息
申请号: 202111041644.1 申请日: 2021-09-07
公开(公告)号: CN113737158A 公开(公告)日: 2021-12-03
发明(设计)人: 周祥 申请(专利权)人: 徐州金琳光电材料产业研究院有限公司
主分类号: C23C16/52 分类号: C23C16/52;C23C16/40;C23C16/46;H01L21/02;H01L21/67
代理公司: 合肥铭辉知识产权代理事务所(普通合伙) 34212 代理人: 张立荣
地址: 221400 江苏省徐*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明属于二氧化硅薄膜制备技术领域,尤其是一种在硅基材表面形成二氧化硅薄膜的制备设备,针对存在的设备内温度、基板角度调节的问题,现提出以下方案,包括支架,所述支架用于支撑设备的一端;温度圈,所述温度圈用于支撑设备另一端;所述温度圈的一端设有前驱体输入组件,且温度圈的另一端设有真空度调节组件。本发明中利用激光发生器为狭缝式,通过反射呈激光带,由基板一侧移动覆盖,同时激光的发射角根据转动轴带动发射镜变化,同时的前驱体输入端,喷涂出雾化状的二氧化硅,在带状激光照射下依次基板表面覆膜,覆膜更加稳定紧密,而且整体的覆膜更均匀。
搜索关键词: 一种 基材 表面 形成 二氧化硅 薄膜 制备 设备
【主权项】:
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