[发明专利]一种在硅基材表面形成二氧化硅薄膜的制备设备在审
| 申请号: | 202111041644.1 | 申请日: | 2021-09-07 |
| 公开(公告)号: | CN113737158A | 公开(公告)日: | 2021-12-03 |
| 发明(设计)人: | 周祥 | 申请(专利权)人: | 徐州金琳光电材料产业研究院有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C23C16/40;C23C16/46;H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司: | 合肥铭辉知识产权代理事务所(普通合伙) 34212 | 代理人: | 张立荣 |
| 地址: | 221400 江苏省徐*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 本发明属于二氧化硅薄膜制备技术领域,尤其是一种在硅基材表面形成二氧化硅薄膜的制备设备,针对存在的设备内温度、基板角度调节的问题,现提出以下方案,包括支架,所述支架用于支撑设备的一端;温度圈,所述温度圈用于支撑设备另一端;所述温度圈的一端设有前驱体输入组件,且温度圈的另一端设有真空度调节组件。本发明中利用激光发生器为狭缝式,通过反射呈激光带,由基板一侧移动覆盖,同时激光的发射角根据转动轴带动发射镜变化,同时的前驱体输入端,喷涂出雾化状的二氧化硅,在带状激光照射下依次基板表面覆膜,覆膜更加稳定紧密,而且整体的覆膜更均匀。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 基材 表面 形成 二氧化硅 薄膜 制备 设备 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





