[发明专利]一种在硅基材表面形成二氧化硅薄膜的制备设备

说明书

本发明属于二氧化硅薄膜制备技术领域，尤其是一种在硅基材表面形成二氧化硅薄膜的制备设备，针对存在的设备内温度、基板角度调节的问题，现提出以下方案，包括支架，所述支架用于支撑设备的一端；温度圈，所述温度圈用于支撑设备另一端；所述温度圈的一端设有前驱体输入组件，且温度圈的另一端设有真空度调节组件。本发明中利用激光发生器为狭缝式，通过反射呈激光带，由基板一侧移动覆盖，同时激光的发射角根据转动轴带动发射镜变化，同时的前驱体输入端，喷涂出雾化状的二氧化硅，在带状激光照射下依次基板表面覆膜，覆膜更加稳定紧密，而且整体的覆膜更均匀。

技术领域

本发明涉及二氧化硅薄膜制备技术领域，尤其涉及一种在硅基材表面形成二氧化硅薄膜的制备设备。

背景技术

大规模集成电路制造中，元器件的二氧化硅介电质层，是由化学气相沉积技术所制备。通过化学气相沉积技术制备的薄膜往往膜层和基体结合紧密，密度均匀，成分易控且沉积速度快。然而其所制备的薄膜经常出现厚度超标、表面晶状物缺陷和微粒污染物问题，严重影响元器件的性能。

如授权公告号为CN110578132A所公开的一种化学气相沉积方法和装置，所述化学气相沉积方法包括在衬底上沉积目标膜层的化学气相沉积过程；在所述化学气相沉积过程开始时，反应腔的加热温度为初值温度。

现有的二氧化硅制备过程中所用到的设备中，温度控制只有在反应室内，其输入的气源均需要独立控制温度，在沉积降温时，温度控制不均匀会使沉积效果不佳，同时基板上沉积通过激光整体覆盖基板端面，而且会因为角度等造成沉积的薄膜不均匀。

发明内容

本发明提出的一种在硅基材表面形成二氧化硅薄膜的制备设备，解决了设备内温度、基板角度调节的问题。

为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：

一种在硅基材表面形成二氧化硅薄膜的制备设备，包括支架，所述支架用于支撑设备的一端；温度圈，所述温度圈用于支撑设备另一端；所述温度圈的一端设有前驱体输入组件，且温度圈的另一端设有真空度调节组件；所述前驱体输入组件包括前驱体输入斗、挤压泵和喷涂器，所述前驱体输入斗的底端连接至挤压泵的输入端上，所述喷涂器的端部连接于挤压泵的输出端上；所述真空度调节组件包括真空泵和真空度调节箱，所述真空泵的端部通过管道连接至真空度调节箱，且真空度调节箱的端部通过管道和温度圈的内部相连接，所述真空调度箱的内壁设有气压传感器和控制开关，且气压传感器和控制开关通过电性连接至真空泵；

制备仓，所述制备仓的底端连接至温度圈的外壁中部，所述制备仓的另一端连接有激光通道，所述制备仓的底侧设有换热仓，且换热仓的底端通过管道和温度圈的内部相连通；所述制备仓的顶部外壁设有转动电机，且转动电机的输出轴连接有液压缸，所述液压缸的底端设有托板，且托板的顶部外壁排布有至少一个基板夹；所述制备仓靠近激光通道的一侧延伸有气道，且气道的端部设有镜片组件，所述镜片组件用于反射激光改变其激光路径；

狭缝式激光发生器，所述狭缝式激光发生器的底端外壁固定连接有支撑台，且支撑台的底端外壁固定连接在支架的外壁上；

气体辅助组件，所述气体辅助组件包括氮气罐和辅助气罐，且氮气罐和辅助气罐的输出端连接有安装座，所述安装座的端部通过管道连接有温度调节器，且温度调节器的底侧通过管道连接至激光通道的内壁中，所述温度调节器、安装座均设有激光通道的外壁上；

作为本发明中进一步方案，所述激光通道的内壁设有托架，且托架的顶部外壁固定连接有激光枪，所述激光枪的端部连接至狭缝式激光发生器的输出端上。

作为本发明中进一步方案，所述氮气罐和辅助气罐与温度调节器的连接处分别设有第一启闭电磁阀和第二启闭电磁阀。

作为本发明中进一步方案，所述温度调节器包括气压表、内加热线圈和半导体散热器，所述内加热线圈与半导体散热器平行设于温度调节器的内部，所述气压表设于第一启闭电磁阀和第二启闭电磁阀所连接的管道上。