[发明专利]一种在硅基材表面形成二氧化硅薄膜的制备设备在审
| 申请号: | 202111041644.1 | 申请日: | 2021-09-07 |
| 公开(公告)号: | CN113737158A | 公开(公告)日: | 2021-12-03 |
| 发明(设计)人: | 周祥 | 申请(专利权)人: | 徐州金琳光电材料产业研究院有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C23C16/40;C23C16/46;H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司: | 合肥铭辉知识产权代理事务所(普通合伙) 34212 | 代理人: | 张立荣 |
| 地址: | 221400 江苏省徐*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基材 表面 形成 二氧化硅 薄膜 制备 设备 | ||
1.一种在硅基材表面形成二氧化硅薄膜的制备设备,其特征在于,包括:
支架(1),所述支架(1)用于支撑设备的一端;
温度圈(17),所述温度圈(17)用于支撑设备另一端;所述温度圈(17)的一端设有前驱体输入组件,且温度圈(17)的另一端设有真空度调节组件;
所述前驱体输入组件包括前驱体输入斗(11)、挤压泵(18)和喷涂器(19),所述前驱体输入斗(11)的底端连接至挤压泵(18)的输入端上,所述喷涂器(19)的端部连接于挤压泵(18)的输出端上;
所述真空度调节组件包括真空泵(16)和真空度调节箱(15),所述真空泵(16)的端部通过管道连接至真空度调节箱(15),且真空度调节箱(15)的端部通过管道和温度圈(17)的内部相连接,所述真空调度箱(15)的内壁设有气压传感器和控制开关,且气压传感器和控制开关通过电性连接至真空泵(16);
制备仓(14),所述制备仓(14)的底端连接至温度圈(17)的外壁中部,所述制备仓(14)的另一端连接有激光通道(5),所述制备仓(14)的底侧设有换热仓(25),且换热仓(25)的底端通过管道和温度圈(17)的内部相连通;
所述制备仓(14)的顶部外壁设有转动电机(13),且转动电机(13)的输出轴连接有液压缸(22),所述液压缸(22)的底端设有托板(23),且托板(23)的顶部外壁排布有至少一个基板夹(24);
所述制备仓(14)靠近激光通道(5)的一侧延伸有气道(21),且气道(21)的端部设有镜片组件,所述镜片组件用于反射激光改变其激光路径;
狭缝式激光发生器(4),所述狭缝式激光发生器(4)的底端外壁固定连接有支撑台(2),且支撑台(2)的底端外壁固定连接在支架(1)的外壁上;
气体辅助组件,所述气体辅助组件包括氮气罐(6)和辅助气罐(10),且氮气罐(6)和辅助气罐(10)的输出端连接有安装座,所述安装座的端部通过管道连接有温度调节器(8),且温度调节器(8)的底侧通过管道连接至激光通道(5)的内壁中,所述温度调节器(8)、安装座均设有激光通道(5)的外壁上。
2.根据权利要求1所述的一种在硅基材表面形成二氧化硅薄膜的制备设备,其特征在于,所述激光通道(5)的内壁设有托架,且托架的顶部外壁固定连接有激光枪(27),所述激光枪(27)的端部连接至狭缝式激光发生器(4)的输出端上。
3.根据权利要求1所述的一种在硅基材表面形成二氧化硅薄膜的制备设备,其特征在于,所述氮气罐(6)和辅助气罐(10)与温度调节器(8)的连接处分别设有第一启闭电磁阀(7)和第二启闭电磁阀(9)。
4.根据权利要求3所述的一种在硅基材表面形成二氧化硅薄膜的制备设备,其特征在于,所述温度调节器(8)包括气压表、内加热线圈和半导体散热器,所述内加热线圈与半导体散热器平行设于温度调节器(8)的内部,所述气压表设于第一启闭电磁阀(7)和第二启闭电磁阀(9)所连接的管道上。
5.根据权利要求4所述的一种在硅基材表面形成二氧化硅薄膜的制备设备,其特征在于,所述温度调节器(8)的底侧设有温度传感器,且温度传感器与内加热线圈和半导体散热器之间通过电性连接。
6.根据权利要求1所述的一种在硅基材表面形成二氧化硅薄膜的制备设备,其特征在于,所述镜片组件包括转动轴(28)、反射镜(29)、传动电机(20)和传动结构,所述转动轴(28)的底端通过传动结构和传动电机(20)的输出轴相连接,所述反射镜(29)固定连接于转动轴(28)的外壁上。
7.根据权利要求6所述的一种在硅基材表面形成二氧化硅薄膜的制备设备,其特征在于,所述传动结构包括传动轮、从动轮和传动皮带,且传动轮通过传动皮带和从动轮之间形成传动配合,所述传动轮设于传动电机(20)的输出轴,且从动轮设于转动轴(28)的底端外壁上。
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