[发明专利]一种可沟槽刻蚀的超结功率MOSFET结构设计及使用方法在审
| 申请号： | 202110964335.5 | 申请日： | 2021-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN113690204A | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 陈利;陈彬 | 申请（专利权）人： | 福建晋润半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/488;H01L29/78;H05K3/34 |
| 代理公司： | 深圳至诚化育知识产权代理事务所(普通合伙) 44728 | 代理人： | 刘英 |
| 地址： | 361011 福建省厦门市湖里区*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及晶体管技术领域，具体为一种可沟槽刻蚀的超结功率MOSFET结构设计及使用方法，包括金氧半场效晶体管，所述金氧半场效晶体管的两侧壁均卡合连接有散热片，所述金氧半场效晶体管的源极引脚、栅极引脚和漏极引脚的底端均卡合连接有焊块。本发明通过在超结功率MOSFET的侧壁表面刻蚀卡槽，并在卡槽内部卡合散热片，在超结功率MOSFET工作时，散热片可以起到一定的散热作用，从而避免超结功率MOSFET被烧毁；本发明通过在栅极引脚、漏极引脚以及源极引脚的底部安装焊块，在安装或者更换超结功率MOSFET时，无需使用锡条焊接，方便了使用者的更换安装工作，同时，焊块方便拆装，也可以给使用者选择是否使用焊块。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 刻蚀 功率 mosfet 结构设计 使用方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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