[发明专利]一种可沟槽刻蚀的超结功率MOSFET结构设计及使用方法

说明书

本发明涉及晶体管技术领域，具体为一种可沟槽刻蚀的超结功率MOSFET结构设计及使用方法，包括金氧半场效晶体管，所述金氧半场效晶体管的两侧壁均卡合连接有散热片，所述金氧半场效晶体管的源极引脚、栅极引脚和漏极引脚的底端均卡合连接有焊块。本发明通过在超结功率MOSFET的侧壁表面刻蚀卡槽，并在卡槽内部卡合散热片，在超结功率MOSFET工作时，散热片可以起到一定的散热作用，从而避免超结功率MOSFET被烧毁；本发明通过在栅极引脚、漏极引脚以及源极引脚的底部安装焊块，在安装或者更换超结功率MOSFET时，无需使用锡条焊接，方便了使用者的更换安装工作，同时，焊块方便拆装，也可以给使用者选择是否使用焊块。

技术领域

本发明涉及晶体管技术领域，具体为一种可沟槽刻蚀的超结功率MOSFET结构设计及使用方法。

背景技术

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管或MOSFET，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同，可分为“N型”与“P型”的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称上包括NMOS、PMOS等，随着科技的进步，MOSFET逐渐演变为超结功率MOSFET，在超结功率MOSFET的基础上，又增加了沟槽刻蚀技术。

由于超结功率MOSFET内部存在多个PN结，在使用时，由于电流流量较大，会产生一定的热量，而现有的超结功率MOSFET散热效果较差，容易发生烧毁的现象。

发明内容

本发明的目的在于提供一种可沟槽刻蚀的超结功率MOSFET结构设计及使用方法，以解决上述背景技术中提出的问题。为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种可沟槽刻蚀的超结功率MOSFET结构设计，包括金氧半场效晶体管，所述金氧半场效晶体管的两侧壁均卡合连接有散热片，所述金氧半场效晶体管的源极引脚、栅极引脚和漏极引脚的底端均卡合连接有焊块。

优选的，所述金氧半场效晶体管的两侧壁均开设有卡口，所述卡口的侧壁等距固定连接有若干个相同的第一卡条。

优选的，所述散热片包括金属盖板、散热条和第二卡条，所述金属盖板的外侧等距固定连接有若干个相同的散热条，所述金属盖板的内侧等距固定连接有若干个相同的第二卡条。

优选的，所述源极引脚、所述栅极引脚和所述漏极引脚的结构相同，所述源极引脚的底部固定连接有卡块，所述卡块的底部固定连接有第一限位条。

优选的，所述焊块包括锡块、卡槽和第二限位条，所述锡块的顶部开设有卡槽，所述卡槽的顶部固定连接有第二限位条，所述卡槽为“T”字型结构，且卡槽与卡块相匹配。

优选的，所述卡块为“T”字型结构，且卡块与卡槽相匹配。

优选的，所述卡口的截面形状为“C”字型结构。

一种可沟槽刻蚀的超结功率MOSFET结构的使用方法，所述使用方法步骤如下：

第一步：安装散热片，将散热片从卡口的侧面插入卡口内，多个第一卡条以及第二卡条的相互作用，使得散热片可以紧密卡合在卡口的内部；

第二步：安装焊块，将焊块从卡块的前端插入，将卡块完全插入在卡槽的内部，由于若干个第一限位条以及第二限位条的作用，使得焊块与源极引脚、栅极引脚以及漏极引脚紧密卡合；

第三步：焊接，使用焊枪，将金氧半场效晶体管焊接在PCB的焊点上，由于源极引脚、栅极引脚以及漏极引脚安装有焊块，在焊接时，无需使用焊条或者锡条。

与现有技术相比，本发明的有益效果：

本发明通过在超结功率MOSFET的侧壁表面刻蚀卡槽，并在卡槽内部卡合散热片，在超结功率MOSFET工作时，散热片可以起到一定的散热作用，从而避免超结功率MOSFET被烧毁。