[发明专利]一种可沟槽刻蚀的超结功率MOSFET结构设计及使用方法

权利要求书

1.一种可沟槽刻蚀的超结功率MOSFET结构设计，包括金氧半场效晶体管(1)，其特征在于：所述金氧半场效晶体管(1)的两侧壁均卡合连接有散热片(2)，所述金氧半场效晶体管(1)的源极引脚(3)、栅极引脚(4)和漏极引脚(5)的底端均卡合连接有焊块(6)。

2.根据权利要求1所述的一种可沟槽刻蚀的超结功率MOSFET结构设计，其特征在于：所述金氧半场效晶体管(1)的两侧壁均开设有卡口(7)，所述卡口(7)的侧壁等距固定连接有若干个相同的第一卡条(701)。

3.根据权利要求1所述的一种可沟槽刻蚀的超结功率MOSFET结构设计，其特征在于：所述散热片(2)包括金属盖板(201)、散热条(202)和第二卡条(203)，所述金属盖板(201)的外侧等距固定连接有若干个相同的散热条(202)，所述金属盖板(201)的内侧等距固定连接有若干个相同的第二卡条(203)。

4.根据权利要求1所述的一种可沟槽刻蚀的超结功率MOSFET结构设计，其特征在于：所述源极引脚(3)、所述栅极引脚(4)和所述漏极引脚(5)的结构相同，所述源极引脚(3)的底部固定连接有卡块(301)，所述卡块(301)的底部固定连接有第一限位条(302)。

5.根据权利要求1所述的一种可沟槽刻蚀的超结功率MOSFET结构设计，其特征在于：所述焊块(6)包括锡块(601)、卡槽(602)和第二限位条(603)，所述锡块(601)的顶部开设有卡槽(602)，所述卡槽(602)的顶部固定连接有第二限位条(603)，所述卡槽(602)为“T”字型结构，且卡槽(602)与卡块(301)相匹配。

6.根据权利要求4所述的一种可沟槽刻蚀的超结功率MOSFET结构设计，其特征在于：所述卡块(301)为“T”字型结构，且卡块(301)与卡槽(602)相匹配。

7.根据权利要求2所述的一种可沟槽刻蚀的超结功率MOSFET结构设计，其特征在于：所述卡口(7)的截面形状为“C”字型结构。

8.根据权利要求1-7任意一项所述的一种可沟槽刻蚀的超结功率MOSFET结构设计得出一种可沟槽刻蚀的超结功率MOSFET结构的使用方法，其特征在于：所述使用方法步骤如下：

第一步：安装散热片(2)，将散热片(2)从卡口(7)的侧面插入卡口(7)内，多个第一卡条(701)以及第二卡条(203)的相互作用，使得散热片(2)可以紧密卡合在卡口(7)的内部；

第二步：安装焊块(6)，将焊块(6)从卡块(301)的前端插入，将卡块(301)完全插入在卡槽(602)的内部，由于若干个第一限位条(302)以及第二限位条(603)的作用，使得焊块(6)与源极引脚(3)、栅极引脚(4)以及漏极引脚(5)紧密卡合；

第三步：焊接，使用焊枪，将金氧半场效晶体管(1)焊接在PCB的焊点上，由于源极引脚(3)、栅极引脚(4)以及漏极引脚(5)安装有焊块(6)，在焊接时，无需使用焊条或者锡条。