[发明专利]化合物半导体元件及化合物半导体装置在审

专利信息
申请号: 202110954336.1 申请日: 2021-08-19
公开(公告)号: CN114078993A 公开(公告)日: 2022-02-22
发明(设计)人: 梁皓钧;杨伟善;詹耀宁;陈怡名;李世昌 申请(专利权)人: 晶元光电股份有限公司
主分类号: H01L33/38 分类号: H01L33/38;H01L33/62
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开一种化合物半导体元件及化合物半导体装置,其中该化合物半导体元件包括有源结构、半导体接触层、电极、绝缘层、第一开口、以及第二开口。有源结构具有第一导电型半导体层、第二导电型半导体层、以及有源层位于第一导电型半导体层及第二导电型半导体层之间。半导体接触层位于第二导电型半导体层上且具有第一开口。电极具有一上表面,且电极完全覆盖半导体接触层。绝缘层覆盖电极及有源结构且具有第二开口。第二导电型半导体层自第一开口露出。电极自第二开口露出。
搜索关键词: 化合物 半导体 元件 装置
【主权项】:
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