[发明专利]化合物半导体元件及化合物半导体装置在审
| 申请号： | 202110954336.1 | 申请日： | 2021-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN114078993A | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 梁皓钧;杨伟善;詹耀宁;陈怡名;李世昌 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 元件 装置 | ||
1.一种化合物半导体元件，包括：
有源结构，具有第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及位于该第一导电型半导体层及该第二导电型半导体层之间的有源层；
半导体接触层，位于该第二导电型半导体层上且具有第一开口；
电极，具有上表面，完全覆盖该半导体接触层；以及
绝缘层，覆盖该电极及该有源结构且具有第二开口；
其中，该第二导电型半导体层自该第一开口露出，该电极自该第二开口露出，该第一开口的边界与该第二开口的边界在水平方向上相隔一距离。
2.如权利要求1所述的化合物半导体元件，其中，自该化合物半导体元件的上视观之，该第二开口完全位于该第一开口内。
3.如权利要求1所述的化合物半导体元件，其中，该第二导电型半导体层具有凸部，该电极位于该凸部上。
4.如权利要求3所述的化合物半导体元件，其中，该凸部的侧壁与该电极的侧壁齐平。
5.如权利要求1所述的化合物半导体元件，其中，该绝缘层覆盖于该上表面的边缘区域且覆盖不超过该上表面的面积的30％。
6.如权利要求3所述的化合物半导体元件，其中，该绝缘层连续覆盖在该电极的该上表面、该电极的侧壁、该凸部的侧壁以及该有源结构上。
7.如权利要求1所述的化合物半导体元件，其中，自该化合物半导体元件的上视观之，该半导体接触层呈环形。
8.一种化合物半导体装置，包括：
化合物半导体元件，包括：
有源结构，具有第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及位于该第一导电型半导体层及该第二导电型半导体层之间的有源层；
半导体接触层，位于该第二导电型半导体层上且具有第一开口；
电极，具有上表面且完全覆盖该半导体接触层；以及
绝缘层，覆盖该电极及该有源结构且具有第二开口；以及
焊接线，接合至该电极，且该焊接线与该电极的接合处具有接合宽度；
其中，该第二导电型半导体层自该第一开口露出，该电极自该第二开口露出，且于该化合物半导体元件的剖面观之，该第二开口的宽度大于该接合宽度。
9.如权利要求8所述的化合物半导体装置，其中，该第一开口的宽度大于第二开口的宽度的90％。
10.如权利要求8所述的化合物半导体装置，还包含载板以及位于该载板上的接合垫。
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