[发明专利]化合物半导体元件及化合物半导体装置

说明书

本发明公开一种化合物半导体元件及化合物半导体装置，其中该化合物半导体元件包括有源结构、半导体接触层、电极、绝缘层、第一开口、以及第二开口。有源结构具有第一导电型半导体层、第二导电型半导体层、以及有源层位于第一导电型半导体层及第二导电型半导体层之间。半导体接触层位于第二导电型半导体层上且具有第一开口。电极具有一上表面，且电极完全覆盖半导体接触层。绝缘层覆盖电极及有源结构且具有第二开口。第二导电型半导体层自第一开口露出。电极自第二开口露出。

技术领域

本发明涉及一种化合物半导体元件，特别是涉及一种具有半导体接触层的化合物半导体元件。

背景技术

随着科技的发展，化合物半导体材料已可被制造成各种化合物半导体元件，并广泛应用于照明、医疗、显示、通讯、感测、电源系统等领域。举例来说，包含三族及五族元素的化合物半导体材料可应用于光电半导体元件如发光二极管(Light emitting diode，LED)。

发明内容

本发明提供一种化合物半导体元件，包括有源结构、半导体接触层、电极、绝缘层、第一开口、以及第二开口。有源结构具有第一导电型半导体层、第二导电型半导体层、以及有源层位于第一导电型半导体层及第二导电型半导体层之间。半导体接触层位于第二导电型半导体层上且具有第一开口。电极具有一上表面，且完全覆盖半导体接触层。绝缘层覆盖电极及有源结构且具有第二开口。第二导电型半导体层自第一开口露出。电极自第二开口露出，该第一开口的边界与该第二开口的边界在水平方向上相隔一距离。

本发明提供一种化合物半导体装置，包括化合物半导体元件以及焊接线。化合物半导体元件包括有源结构、半导体接触层、电极、绝缘层、第一开口、以及第二开口。有源结构具有第一导电型半导体层、第二导电型半导体层、以及有源层位于第一导电型半导体层及第二导电型半导体层之间。半导体接触层位于第二导电型半导体层上且具有一第一开口。电极具有一上表面，且电极完全覆盖半导体接触层。绝缘层覆盖电极及有源结构且具有一第二开口。焊接线接合至电极，且焊接线与电极的接合处具有一接合宽度。第二导电型半导体层自第一开口露出。电极自第二开口露出。在化合物半导体元件的一剖面观之，第二开口的宽度大于接合宽度。

附图说明

图1A为剖面示意图，显示符合本发明的化合物半导体元件的一实施例；

图1B为图1A的局部放大图；其中图1B的上方图为上视示意图，图1B的下方图为沿剖面线AA’的剖面示意图；

图2A为剖面示意图，显示符合本发明的化合物半导体元件的一实施例；

图2B为图2A的局部放大图；其中图2B的上方图为上视示意图，图2B的下方图为沿剖面线BB’的剖面示意图；

图3A及图3B为上视示意图，显示符合本发明的半导体接触层及第一电极的实施例；

图4为剖面示意图，显示符合本发明的化合物半导体装置的一实施例。

符号说明

10 化合物半导体元件

11、11’ 区域

100 基板

102 中间层

103 有源(主动)结构

103a 第一导电型半导体层

103b 有源层

103c 第二导电型半导体层

103c1 平台部

103c2 凸部

104 半导体接触层

104a 内边界

104b 外边界