[发明专利]半导体元件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110953767.6 | 申请日： | 2021-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN114464594A | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 苏国辉 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768;H01L23/48;H01L23/528;H01L23/532 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体元件结构及其制备方法。该半导体元件结构包括一基底，具有一图案密集区以及一图案稀疏区；一第一导电层，设置在该基底上；一第一介电层，设置在该第一导电层上；一第一导电栓柱与一第二导电栓柱，设置在该第一介电层中，其中该第一导电栓柱与该第二导电栓柱包含铜，并通过包含锰的一第一衬垫层而与该第一介电层分隔开；其中该第一导电栓柱与该第二导电栓柱具有不同深宽比。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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