[发明专利]探测器及其制作方法以及装置在审
申请号: | 202110936536.4 | 申请日: | 2021-08-16 |
公开(公告)号: | CN113658962A | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
发明(设计)人: | 刘曼文;李志华;成文政 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 姚璐华 |
地址: | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本申请公开了一种探测器及其制作方法以及装置,所述探测器包括:在第一方向上相对设置的第一探测器单元和第二探测器单元;所述第一探测器单元包括:在所述第一方向上延伸的第一柱状电极;包围所述第一柱状电极的第一介质区;包围所述第一介质区的第一多边形电极;所述第二探测器单元包括:在所述第一方向上延伸的第二柱状电极;包围所述第二柱状电极的第二介质区;包围所述第二介质区的第二多边形电极;所述第一柱状电极与所述第二柱状电极为同一柱体在所述第一方向上相对的两部分。应用本发明提供的技术方案,通过双面刻蚀工艺,贯穿整个硅体,可以减少死区的比例,并且该探测器在工作时,粒子可双面入射,探测效率高,反应灵敏。 | ||
搜索关键词: | 探测器 及其 制作方法 以及 装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的