[发明专利]探测器及其制作方法以及装置

权利要求书

1.一种探测器，其特征在于，包括：

在第一方向上相对设置的第一探测器单元和第二探测器单元；

所述第一探测器单元包括：在所述第一方向上延伸的第一柱状电极；包围所述第一柱状电极的第一介质区；包围所述第一介质区的第一多边形电极；

所述第二探测器单元包括：在所述第一方向上延伸的第二柱状电极；包围所述第二柱状电极的第二介质区；包围所述第二介质区的第二多边形电极；

所述第一柱状电极与所述第二柱状电极为同一柱体在所述第一方向上相对的两部分；

在所述第一方向上，所述第二多边形电极的外侧壁不超出所述第一多边形电极的外侧壁所包围的区域，至少部分所述第二多边形电极的外侧壁与所述第一多边形电极的外侧壁重合。

2.根据权利要求1所述的探测器，其特征在于，所述第一多边形电极和所述第二多边形电极的形状相同，二者均为正n边形，n为大于2的正整数；

所述第一多边形电极的外侧壁与所述第二多边形电极的外侧壁完全重合。

3.根据权利要求1所述的探测器，其特征在于，所述第一多边形电极为正n边形，n为大于2的正整数；

所述第二多边形电极为正m边形，m＝2n；

所述正m边形为所述正n边形的内接多边形。

4.根据权利要求1所述的探测器，其特征在于，所述第一柱状电极和所述第二柱状电极均为圆柱形或正多边形。

5.根据权利要求1所述的探测器，其特征在于，所述第一介质区的材料采用硅、氧化硅、Ge、GaN、SiC、HgI₂、GaAs、TiBr、CdTe、CdZnTe、CdSe、GaP、HgS、PbI₂或AlSb中的一种或多种的组合；

所述第二介质区的材料采用硅、氧化硅、Ge、GaN、SiC、HgI₂、GaAs、TiBr、CdTe、CdZnTe、CdSe、GaP、HgS、PbI₂或AlSb中的一种或多种的组合。

6.根据权利要求1所述的探测器，其特征在于，所述第一探测器单元和所述第二探测器单元的厚度之和为200um至700um。

7.根据权利要求1所述的探测器，其特征在于，所述第一探测器单元和所述第二探测器单元均为一个PIN结；

所述第一多边形电极和所述第二多边形电极采用P型硅重掺杂，所述第一柱状电极和所述第二柱状电极采用N型硅重掺杂，所述第一介质区和所述第二介质区采用N型硅轻掺杂；

或，所述第一多边形电极和所述第二多边形电极采用N型硅重掺杂，所述第一柱状电极和所述第二柱状电极采用P型硅重掺杂，所述第一介质区和所述第二介质区采用P型硅轻掺杂；

或，所述第一多边形电极和所述第二多边形电极采用N型硅重掺杂，所述第一柱状电极和所述第二柱状电极采用P型硅重掺杂，所述第一介质区和所述第二介质区采用N型硅轻掺杂；

或，所述第一多边形电极和所述第二多边形电极采用P型硅重掺杂，所述第一柱状电极和所述第二柱状电极采用N型硅重掺杂，所述第一介质区和所述第二介质区采用P型硅轻掺杂。

8.根据权利要求1所述的探测器，其特征在于，所述第二多边形电极和所述第二柱状电极背离所述第一探测器单元的表面覆盖有电极接触层，所述第二介质区背离所述第一探测器单元的表面覆盖有绝缘层。