[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202110864749.0 | 申请日： | 2021-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN115701215A | 公开（公告）日： | 2023-02-07 |
| 发明（设计）人： | 刘翔 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 高天华;张颖玲 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例公开了一种半导体结构及其制造方法。其中，所述半导体结构包括：衬底；所述衬底中形成有隔离沟槽，所述隔离沟槽将部分所述衬底分割为多个沿第一方向延伸的有源区；位于沿所述第一方向的两个所述有源区之间的隔离沟槽中的第一字线结构；所述第一字线结构的底部位于所述衬底的第一设定深度位置；位于所述有源区内的第二字线结构；所述第二字线结构的底部位于所述衬底的第二设定深度位置；其中，所述第一设定深度位置对应的第一深度大于或等于所述第二设定深度位置对应的第二深度，且所述第一深度与所述第二深度的差值小于预设值。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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