[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；所述衬底中形成有隔离沟槽，所述隔离沟槽将部分所述衬底分割为多个沿第一方向延伸的有源区；

位于沿所述第一方向的两个所述有源区之间的隔离沟槽中的第一字线结构；所述第一字线结构的底部位于所述衬底的第一设定深度位置；

位于所述有源区内的第二字线结构；所述第二字线结构的底部位于所述衬底的第二设定深度位置；

其中，所述第一设定深度位置对应的第一深度大于或等于所述第二设定深度位置对应的第二深度，且所述第一深度与所述第二深度的差值小于预设值。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一深度等于所述第二深度。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一深度与所述第二深度的差值小于所述第二深度的1/4。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离沟槽的底部位于所述衬底的第三设定深度位置；所述第三设定深度位置对应的第三深度为所述第二深度的2倍-2.5倍。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底中具有字线沟槽，所述第一字线结构和第二字线结构均位于所述字线沟槽中；所述第一字线结构和第二字线结构均包括栅极绝缘层、栅极层及栅极介质层，所述栅极绝缘层覆盖所述字线沟槽的内壁，所述栅极层位于所述栅极绝缘层上并填充所述字线沟槽的部分深度，所述栅极介质层覆盖所述栅极层并填充所述字线沟槽的剩余深度。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一字线结构和第二字线结构还包括导电层，所述导电层位于所述栅极介质层和所述栅极层之间，所述导电层的材料包括多晶硅。

7.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极层的材料包括氮化钛，所述栅极介质层的材料为氮化硅。

8.根据权利要求1至7任一项所述的半导体结构，所述半导体结构用于形成动态随机存取存储器。

9.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底；所述衬底中形成有隔离沟槽，所述隔离沟槽将部分所述衬底分割为多个沿第一方向延伸的有源区；

在沿所述第一方向的两个所述有源区之间的隔离沟槽中形成第一字线结构；所述第一字线结构的底部位于所述衬底的第一设定深度位置；

在所述有源区内形成第二字线结构；所述第二字线结构的底部位于所述衬底的第二设定深度位置；

其中，所述第一设定深度位置对应的第一深度大于或等于所述第二设定深度位置对应的第二深度，且所述第一深度与所述第二深度的差值小于预设值。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一深度等于所述第二深度。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一深度与所述第二深度的差值小于所述第二深度的1/4。

12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述隔离沟槽中形成隔离绝缘层；

在形成有隔离绝缘层的隔离沟槽中填充隔离介质层；

对所述有源区及形成有隔离绝缘层、隔离介质层的隔离沟槽进行刻蚀，在沿所述第一方向的两个所述有源区之间的隔离沟槽中形成底部停止在所述第一设定深度位置处的字线沟槽，且在所述有源区中形成底部停止在所述第二设定深度位置处的字线沟槽；其中，

在刻蚀的过程中，通过控制刻蚀源对所述有源区的刻蚀选择比与所述刻蚀源对所述隔离绝缘层、隔离介质层的刻蚀选择比满足预设条件，使得所述第一深度大于或等于第二深度，且所述第一深度与第二深度的差值小于预设值。