[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110863309.3 | 申请日： | 2021-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN115692497A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 王楠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：衬底；位于衬底上栅极结构；位于衬底内的源极开口和漏极开口；位于漏极开口内的电介质隔离层，电介质隔离层位于漏极开口的底部，且电介质隔离层的顶部表面低于衬底的顶部表面；位于源极开口内的源极掺杂层；位于漏极开口内的漏极掺杂层，漏极掺杂层位于电介质隔离层上。通过位于漏极开口内的电介质隔离层，能够利用电介质隔离层降低漏极掺杂层与衬底之间发生漏电的问题；由于源极开口内没有形成电介质隔离层，会使得形成的源极掺杂层的结构更加饱满，进而通过源极掺杂层为沟道区提供更高的外延应力，增强沟道区的载流子迁移率，以提升最终形成的半导体结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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