[发明专利]高介电常数金属栅MOS晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 202110862545.3 | 申请日： | 2021-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN113644050A | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768;H01L29/417 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高介电常数金属栅MOS晶体管，包括：高介电常数金属栅以及自对准形成于所述高介电常数金属栅两侧的半导体衬底中的源漏区；源漏区的顶部的有源区金属零层形成于有源区金属零层开口中；在有源区金属零层开口底部暴露的源漏区的表面自对准形成有预非晶化离子注入区，在有源区金属零层开口的侧面形成有第一内侧墙，第一金属硅化物通过第一内侧墙所围区域自对准形成于预非晶化离子注入区中，有源区金属零层形成于第一内侧墙所围的区域中。通过设置第一内侧墙降低接触电阻并避免产生桥接。栅区金属零层开口中形成有第二内侧墙。本发明还公开了一种高介电常数金属栅MOS晶体管的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 金属 mos 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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