[发明专利]一种基于电镀工艺的MEMS谐振器制备方法在审
| 申请号： | 202110844357.8 | 申请日： | 2021-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN113572443A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 吴江;欧毅;孙茂友 | 申请（专利权）人： | 吴江;欧毅;孙茂友 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;B81B7/02;B81C1/00;C25D5/02;C25D7/12 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 杜阳阳 |
| 地址： | 广东省深圳市南山区高新南七道*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于电镀工艺的MEMS谐振器制备方法，包括：在SOI硅片的顶层硅上刻蚀出谐振梁和电极区域，将谐振梁区域和电极区域刻蚀到SOI硅片的埋氧层；采用高温氧化工艺制备设定厚度的氧化层覆盖谐振梁区域和电极区域；刻蚀除了第一电容间隙处侧壁之外的氧化层；在SOI硅片上表面溅射电镀种子层；采用光刻技术暴露出预设电镀区域，并用光刻胶覆盖预设非电镀区域；采用电镀方法覆盖预设电镀区域并填充电容间隙，对预设非电镀区域进行去光刻胶并刻蚀去除电镀种子层；采用气相氢氟酸腐蚀SOI硅片的氧化层和埋氧层。本发明通过减小谐振梁与输入电极或输出电极之间的间隙，提高了MEMS谐振器的品质因数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 电镀 工艺 mems 谐振器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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