专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]声表面波滤波器的制作方法及声表面波滤波器-CN202310556496.X在审
  • 朱智源;陈璞;彭德光 - 重庆兆光科技股份有限公司
  • 2023-05-16 - 2023-09-29 - H03H3/08
  • 本发明提供声表面波滤波器的制作方法及声表面波滤波器,形成多个金属电极,每个金属电极上具有凸出部,形成压电衬底,压电衬底上设置有压电凹槽,通过粘合剂将压电凹槽与凸出部匹配粘接,将四个金属电极与压电衬底进行键合,形成声表面波滤波器。本发明通过分别批量生产具有凹槽的压电衬底和带凸出部的金属电极,增加键合的接触面积,增大附着力,简化生产工艺,提高生产效率,通过键合的方式形成声表面波滤波器,键合不同几何形状的金属电极与不同的压电衬底材料,形成不同类型的声表面波滤波器,可满足不同的滤波需求。
  • 表面波滤波器制作方法
  • [发明专利]一种兰姆波谐振器及其制备方法-CN202010245302.0有效
  • 欧欣;郑鹏程;张师斌;周鸿燕;黄凯 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 2020-03-31 - 2023-09-29 - H03H3/08
  • 本申请提供一种兰姆波谐振器及其制备方法,该兰姆波谐振器包括支撑衬底、反射层、第一压电膜、第二压电膜和电极层;支撑衬底、反射层、第一压电膜、第二压电膜和电极层依次层叠连接;第一压电膜和第二压电膜配合能够消除或减小激发高阶兰姆波不需要的压电系数。本申请实施例提供的兰姆波谐振器通过设置两层不同晶体取向的压电膜,在一定范围内定量调控压电材料的弹性常数和压电常数,减小与低阶模的激发相关的压电常数,从而在保证高阶模的谐振频率和机电耦合系数的同时,使得低阶模被有效抑制,避免了在高阶模兰姆波滤波器的通带外存在其它低阶模所引起的不必要的通带。
  • 一种兰姆波谐振器及其制备方法
  • [发明专利]一种基于周期性畴结构的声表面波器件及其制备方法-CN202310808881.9在审
  • 胡小鹏;苏雅雯;叶志霖;祝世宁 - 南京大学
  • 2023-07-03 - 2023-09-08 - H03H3/08
  • 本发明公开一种基于周期性畴结构的声表面波器件及其制备方法,包括:利用光刻法在压电材料晶体的正z面和压电材料晶体的反z面制备极化电极轮廓;利用高温胶带分割压电材料晶体的正z面和压电材料晶体的反z面,获得不同极化区域;在极化电极轮廓上镀上第一金属电极;撕去高温胶带,得到极化电极结构;利用极化电极结构,制备有部分区域畴翻转结构的压电材料晶体,最终得到基于畴结构激发的声表面波器件。本申请先对钽酸锂的压电材料晶体或铌酸锂的压电材料晶体进行极化,然后通过剥离转移到基底上,并在压电材料晶体的表面镀上电极,以制备声表面波器件,本发明制备的平板电极更利于控制功耗。
  • 一种基于周期性结构表面波器件及其制备方法
  • [发明专利]声表面波器件的制造方法、声表面波器件以及射频模组-CN202211504341.3有效
  • 李朋;吴洋洋;曹庭松;黎明;贾德宝 - 北京超材信息科技有限公司
  • 2022-11-28 - 2023-09-05 - H03H3/08
  • 本申请提供一种声表面波器件及其制造方法和射频模组,其中制造方法包括如下步骤:晶圆具有两个晶圆表面,晶圆表面具有响应于声表面波的功能区与非功能区;在非功能区形成多个焊球。对第二晶圆表面进行减薄。在非功能区中相邻的焊球之间设置切割道,沿着切割道进行切割,形成多个晶粒。提供基板,基板具有两个基板表面,将晶粒通过焊球倒装焊接到第一基板表面上。采用封装树脂覆盖基板与晶粒远离基板的表面。采用树脂减薄装置对封装树脂进行减薄,形成封装体。切割封装体形成多个声表面波器件。采用以上设计,能够实现声表面波器件整体封装厚度较小,从而实现了超薄封装,提供了声表面波器件的性能并且实现了小型化。
  • 表面波器件制造方法以及射频模组
  • [发明专利]中高频SAW滤波器的IDT的制备方法及SAW滤波器-CN202310537261.6在审
  • 张新 - 中芯集成电路(宁波)有限公司
  • 2023-05-11 - 2023-08-29 - H03H3/08
  • 本发明公开了一种中高频SAW滤波器的IDT的制备方法及SAW滤波器,其中制备方法包括:提供基板;在基板上通过黄光工艺形成IDT光阻结构,IDT光阻结构包括多个间隔设置的光阻单元;将基板置入烤箱中,对IDT光阻结构进行固化;固化完成后,对光阻单元的尺寸进行微调,以缩小光阻单元的宽度;沉积IDT金属,并通过金属剥离工艺,剥离IDT光阻结构以及去除多余的金属,得到所需的IDT结构。本发明在常规制备方法的基础上,通过引入烤箱固化+光阻单元尺寸微调,可以根据不同的尺寸设计,调整IDT层曝光后的光刻胶CD,实现250~500nm不同尺寸的中高频SAW滤波器的IDT的制备。
  • 高频saw滤波器idt制备方法
  • [发明专利]弹性波装置-CN202180084800.4在审
  • 大内峰文 - 株式会社村田制作所
  • 2021-12-07 - 2023-08-22 - H03H3/08
  • 本发明提供一种能够推进小型化的弹性波装置。弹性波装置(10)具备:支承构件(13);压电层(14),具有位于支承构件(13)侧的第1主面(14a)和第2主面(14b);第1IDT电极(11A),设置在第1主面(14a),具有多个第1电极指(26)、第2电极指(27);以及第2IDT电极(11B),设置在第2主面(14b)中的在俯视下与第1IDT电极(11A)不重叠的部分,具有多个第1电极指(28)、第2电极指(29)。将压电层(14)的厚度设为d,将相邻的电极指彼此的中心间距离设为p,在该情况下,在第1IDT电极(11A)、第2IDT电极(11B)中,d/p为0.5以下。还具备:绝缘膜(17),设置在第2主面(14b)中的在俯视下与第1IDT电极(11A)重叠的部分;以及布线电极(18),在俯视时与第1IDT电极(11A)重叠的部分中在绝缘膜(17)上穿过,并与第2IDT电极(11B)连接。
  • 弹性装置
  • [发明专利]一种芯片模组封装结构及封装方法-CN202310585780.X在审
  • 徐韬;薛马锋 - 上海凡麒微电子有限公司
  • 2023-05-23 - 2023-08-18 - H03H3/08
  • 本发明提供一种芯片模组封装结构及封装方法,该封装方法包括:提供封装基板;提供多个芯片,将芯片与封装基板的上表面焊接,多个芯片中包括至少一声表面滤波器芯片,声表面滤波器芯片的上表面与侧面之间的夹角为钝角;于封装基板的上表面形成干膜层,干膜层封闭声表面滤波器芯片与封装基板之间的空间形成空腔;于封装基板的上表面形成塑封层,塑封层覆盖干膜层并填充入相邻芯片的间隙处。本发明中声表面滤波器芯片的上表面与侧面之间的夹角为钝角,缓解覆膜过程中由于声表面滤波器芯片的边缘受到挤压而造成破膜的问题,提高器件可靠性。并且,由于声表面滤波器芯片的侧面包括倾斜面,降低干膜的拉伸比,进一步缓解破膜的风险,提高器件的可靠性。
  • 一种芯片模组封装结构方法
  • [发明专利]一种声表滤波器封装结构及封装方法-CN202310325417.4在审
  • 陈玲;吴延浪;张树民;王国浩 - 杭州左蓝微电子技术有限公司
  • 2023-03-29 - 2023-08-18 - H03H3/08
  • 本发明公开了一种声表滤波器封装结构,包括:基板、滤波芯片、稠胶、内阻挡块、外阻挡块和塑封层,所述稠胶环绕设置在所述滤波芯片的侧壁与所述基板之间,以使所述滤波芯片与所述基板之间形成密封空腔;所述内阻挡块和所述外阻挡块之间形成凹槽,所述稠胶的底部位于所述凹槽内;塑封层,所述塑封层设于所述稠胶和所述滤波芯片的外侧。还公开了封装方法,在基板上设置好内外阻挡块并形成凹槽,滤波芯片焊接在基板上然后涂覆稠胶,最后再进行塑封。解决目前注塑层容易渗入到芯片和基板之间的问题。确保稠胶不会污染到IDT表面,从而确保封装不会影响到滤波芯片的性能,大大提高封装良品率。
  • 一种滤波器封装结构方法
  • [发明专利]表面声波元件、滤波电路以及电子零件-CN202010381485.9有效
  • 松冈直人 - NDK声表滤波器股份有限公司
  • 2020-05-08 - 2023-08-18 - H03H3/08
  • 本发明提供一种表面声波元件、滤波电路与电子零件,其容易制造、具有稳定的频率特性的表面声波元件等。在支撑基板(102)上设置形成有IDT电极的压电材料层(101),压电材料层(101)的厚度为声波波长的1倍~2.5倍的范围内,由IDT电极的电极指(3)在压电材料层(101)激发的弹性波的主模式为泄漏表面声波。而且,在泄漏表面声波中,以传播损耗变成最小的传播损耗最小频率(fd)、与因和所述泄漏表面声波一同被激发的作为弹性波的慢横波而形成的板波杂散的频率一致的方式,设定设计变数。另外,在压电材料层(101)的下层传播的弹性波的最慢的体波的传播速度为所述泄漏表面声波的速度的1.05倍以上。
  • 表面声波元件滤波电路以及电子零件
  • [发明专利]声表面波元件及其制造方法-CN201810659668.5有效
  • 上条敦 - NDK声表滤波器股份有限公司
  • 2018-06-25 - 2023-08-18 - H03H3/08
  • 本发明提供一种可提高声表面波元件的IDT的耐电力性的电极结构及其制造方法。声表面波元件(10)具备LiTaO3的压电单晶基板(11)以及IDT(13),所述IDT(13)设置于所述基板上,包括钛膜(13a)、及形成于所述钛膜上的铝膜或以铝为主成分的膜(13b)。膜(13b)为双晶或单晶的膜。而且,膜(13b)的(111)面相对于压电单晶基板的表面呈角度(θ)而非平行。而且,膜(13b)的[‑1,1,0]方向与压电单晶基板的晶轴的X方向平行。
  • 表面波元件及其制造方法
  • [发明专利]一种基于活塞模式的声表面波装置及制备方法-CN202310409624.8在审
  • 窦韶旭;张帅;傅肃磊;许志斌;王为标;刘平 - 无锡市好达电子股份有限公司
  • 2023-04-17 - 2023-08-08 - H03H3/08
  • 本发明公开了一种基于活塞模式的声表面波装置及制备方法,涉及声表面波器件技术领域,该装置包括压电基板和设置在其上的叉指换能器电极,叉指换能器电极包括相互对置的第一汇流条和第二汇流条、沿平行于声表面波传播方向上间隔交错设置的多根第一电极指和多根第二电极指、以及多根第一连接指和多根第二连接指;每根第一电极指的第一端通过第一连接指与第一汇流条电连接,且第一电极指的第一端与第一连接指层叠设置;每根第二电极指的第二端通过第二连接指与第二汇流条电连接,且第二电极指的第二端与第二连接指层叠设置。通过调整第一连接指、第二连接指的质量,以更灵活地设置低音速部和高音速部,从而实现更佳的活塞模式,抑制横模杂波。
  • 一种基于活塞模式表面波装置制备方法
  • [发明专利]三维滤波器封装结构及其制备方法-CN202310466241.4在审
  • 孙成富;何正鸿;高源;陈泽;钟磊 - 甬矽电子(宁波)股份有限公司
  • 2023-04-25 - 2023-07-28 - H03H3/08
  • 本发明的实施例提供了一种三维滤波器封装结构及其制备方法,涉及半导体封装技术领域,该三维滤波器封装结构包括基板、功能模块和塑封体,功能模块贴装在基板上,塑封体设置在基板上,并包覆在功能模块外,其中,功能模块包括相对贴合的结构芯片和滤波芯片,结构芯片靠近滤波芯片的一侧设置有功能凹槽,滤波芯片覆盖在功能凹槽上。相较于现有技术,本发明通过在结构芯片上开槽的方式,在滤波芯片的功能区对应位置形成功能腔室,大幅提升了腔室体积,提升了滤波芯片的传感性能,同时采用开槽方式形成空腔,能够避免填充胶体形成空腔的方式,降低了填充胶体污染芯片压电功能区域的风险。
  • 三维滤波器封装结构及其制备方法

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