[发明专利]一种基于电镀工艺的MEMS谐振器制备方法在审
| 申请号： | 202110844357.8 | 申请日： | 2021-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN113572443A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 吴江;欧毅;孙茂友 | 申请（专利权）人： | 吴江;欧毅;孙茂友 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;B81B7/02;B81C1/00;C25D5/02;C25D7/12 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 杜阳阳 |
| 地址： | 广东省深圳市南山区高新南七道*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 电镀 工艺 mems 谐振器 制备 方法 | ||
1.一种基于电镀工艺的MEMS谐振器制备方法，其特征在于，包括：
在SOI硅片的顶层硅上按照预设图形刻蚀出谐振梁和电极区域，将所述谐振梁区域和所述电极区域刻蚀到所述SOI硅片的埋氧层；
采用高温氧化工艺制备设定厚度的氧化层覆盖所述谐振梁区域和所述电极区域；
刻蚀所述谐振梁区域和所述电极区域上除了第一电容间隙处侧壁之外的氧化层，获得第一处理后的SOI硅片，所述第一电容间隙为谐振梁和电极之间的间隙；
在所述第一处理后的SOI硅片上表面溅射电镀种子层；
采用光刻技术暴露出预设电镀区域，并用光刻胶覆盖预设非电镀区域；
采用电镀方法覆盖所述预设电镀区域并填充所述电容间隙，对所述预设非电镀区域进行去光刻胶并刻蚀去除电镀种子层，获得第二处理后的SOI硅片；
采用气相氢氟酸腐蚀所述第二处理后的SOI硅片的氧化层和埋氧层，使所述谐振梁悬空并形成第二电容间隙，所述第二电容间隙的缝隙宽度为所述设定厚度。
2.根据权利要求1所述的基于电镀工艺的MEMS谐振器制备方法，其特征在于，所述设定厚度为100-200纳米。
3.根据权利要求1所述的基于电镀工艺的MEMS谐振器制备方法，其特征在于，所述顶层硅厚度为15-25微米。
4.根据权利要求1所述的基于电镀工艺的MEMS谐振器制备方法，其特征在于，所述埋氧层厚度为1-2微米。
5.根据权利要求1所述的基于电镀工艺的MEMS谐振器制备方法，其特征在于，所述顶层硅电阻率为0.001-0.005Ω*cm。
6.根据权利要求1所述的基于电镀工艺的MEMS谐振器制备方法，其特征在于，所述电镀种子层包括黏附层和金层，所述黏附层厚度为50-100纳米。
7.根据权利要求1所述的基于电镀工艺的MEMS谐振器制备方法，其特征在于，所述黏附层为铬。
8.根据权利要求1所述的基于电镀工艺的MEMS谐振器制备方法，其特征在于，所述金层厚度为200-500纳米。
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