[发明专利]倒装发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 202110831415.3 | 申请日： | 2021-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN113659048B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 林素慧;黄敏;张中英;彭康伟;江宾;曾明俊;曾炜竣 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/44;H01L33/46;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 王立红 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种倒装发光二极管及其制备方法，包括外延主体层、挡墙和保护层；外延主体层包括在第一表面和第二表面之间依次排列的第一半导体层、有源层和第二半导体层；位于有源层和第二半导体层侧壁处的挡墙与外延主体层之间存在第一间隙；第一间隙的深度大于有源层和第二半导体层的总厚度；保护层至少覆盖外延主体层的第二表面和第一间隙的内表面；保护层包括第一绝缘层、第二绝缘层和金属层，金属层位于由第一绝缘层和第二绝缘层所围合成的封闭空间内。挡墙位于切割处与外延主体层之间，其能够在切割时减小外延主体层侧壁处的保护层所产生的应力，避免外延主体层侧壁处的保护层在应力作用下断裂，提高倒装发光二极管的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 倒装 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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