[发明专利]倒装发光二极管及其制备方法

说明书

本申请公开了一种倒装发光二极管及其制备方法，包括外延主体层、挡墙和保护层；外延主体层包括在第一表面和第二表面之间依次排列的第一半导体层、有源层和第二半导体层；位于有源层和第二半导体层侧壁处的挡墙与外延主体层之间存在第一间隙；第一间隙的深度大于有源层和第二半导体层的总厚度；保护层至少覆盖外延主体层的第二表面和第一间隙的内表面；保护层包括第一绝缘层、第二绝缘层和金属层，金属层位于由第一绝缘层和第二绝缘层所围合成的封闭空间内。挡墙位于切割处与外延主体层之间，其能够在切割时减小外延主体层侧壁处的保护层所产生的应力，避免外延主体层侧壁处的保护层在应力作用下断裂，提高倒装发光二极管的可靠性。

技术领域

本申请涉及发光二极管相关技术领域，尤其涉及一种倒装发光二极管及其制备方法。

背景技术

发光二极管由于可靠性高、寿命长、功耗低的特点，广泛应用于各个领域，其中，倒装发光二极管由于具备耐大电流、电压低、光效高、无需打线等优势受到越来越多的重视。在传统的倒装发光二极管中，外延层侧壁处的绝缘层在后续切割工艺中易因内部产生较大应力而出现断裂，影响倒装发光二极管的可靠性。

发明内容

本申请的目的在于提供一种倒装发光二极管，其通过在外延主体层与切割处之间设置挡墙，以在切割时避免外延主体层侧壁处的保护层断裂，并提高倒装发光二极管的可靠性。

另一目的还在于提供一种上述倒装发光二极管的制备方法。

第一方面，本申请实施例提供了一种倒装发光二极管，包括：

外延主体层，具有相对的第一表面、第二表面以及侧壁；外延主体层包括在第一表面和第二表面之间依次排列的第一半导体层、有源层和第二半导体层；

挡墙，位于外延主体层侧壁的外围；位于有源层和第二半导体层侧壁处的挡墙与外延主体层之间存在第一间隙；第一间隙的深度大于有源层和第二半导体层的总厚度；

保护层，至少覆盖外延主体层的第二表面和第一间隙的内表面；保护层包括第一绝缘层、第二绝缘层和金属层，金属层位于由第一绝缘层和第二绝缘层所围合成的封闭空间内。

在一种可能的实施方案中，位于第一半导体层侧壁处的挡墙与外延主体层连通。

在一种可能的实施方案中，位于第一半导体层侧壁处的挡墙与外延主体层之间存在第二间隙。

在一种可能的实施方案中，在与第一表面平行的方向上，第一间隙的宽度等于或者大于第二间隙的宽度。

在一种可能的实施方案中，位于有源层和第二半导体层侧壁处的挡墙的宽度等于或者大于2μm。

在一种可能的实施方案中，位于有源层和第二半导体层侧壁处的挡墙为齿状结构，相邻齿之间存在第三间隙。

在一种可能的实施方案中，挡墙为环绕于外延主体层侧壁外围的连续结构；或者，挡墙为环绕于外延主体层侧壁外围的间断结构。

在一种可能的实施方案中，挡墙包含的结构层与外延主体层包含的结构层相同。

在一种可能的实施方案中，挡墙包括相连的第一部和第二部；第一部位于第一半导体层侧壁的外围，第二部位于有源层和第二半导体层侧壁的外围；第二部的厚度大于有源层和第二半导体层的总厚度。

在一种可能的实施方案中，保护层覆盖外延主体层的第二表面、第一间隙的内表面以及挡墙。

在一种可能的实施方案中，第一绝缘层位于保护层靠近外延主体层的一侧；第一绝缘层至少包括第一叠层和第二叠层；第一叠层位于第一绝缘层靠近外延主体层的一侧。

在一种可能的实施方案中，第一叠层包括原子层沉积层；第二叠层包括高密度等离子体化学气相沉积层或者等离子体化学气相沉积层。