[发明专利]倒装发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种倒装发光二极管，其特征在于，包括：

外延主体层，具有相对的第一表面、第二表面以及侧壁；所述外延主体层包括在第一表面和第二表面之间依次排列的第一半导体层、有源层和第二半导体层；

挡墙，位于所述外延主体层侧壁的外围；位于有源层和第二半导体层侧壁处的所述挡墙与所述外延主体层之间存在第一间隙；所述第一间隙的深度大于所述有源层和第二半导体层的总厚度；

保护层，至少覆盖所述外延主体层的第二表面和所述第一间隙的内表面；所述保护层包括第一绝缘层、第二绝缘层和金属层，所述金属层位于由所述第一绝缘层和第二绝缘层所围合成的封闭空间内。

2.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，位于第一半导体层侧壁处的所述挡墙与所述外延主体层连通。

3.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，位于第一半导体层侧壁处的所述挡墙与所述外延主体层之间存在第二间隙。

4.根据权利要求3所述的倒装发光二极管，其特征在于，在与第一表面平行的方向上，所述第一间隙的宽度等于或者大于所述第二间隙的宽度。

5.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，位于有源层和第二半导体层侧壁处的所述挡墙的宽度等于或者大于2μm。

6.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，位于有源层和第二半导体层侧壁处的所述挡墙为齿状结构，相邻齿之间存在第三间隙。

7.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述挡墙为环绕于所述外延主体层侧壁外围的连续结构；或者，所述挡墙为环绕于所述外延主体层侧壁外围的间断结构。

8.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述挡墙包含的结构层与所述外延主体层包含的结构层相同。

9.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述挡墙包括相连的第一部和第二部；所述第一部位于所述第一半导体层侧壁的外围，所述第二部位于所述有源层和第二半导体层侧壁的外围；所述第二部的厚度大于所述有源层和第二半导体层的总厚度。

10.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述保护层覆盖所述外延主体层的第二表面、所述第一间隙的内表面以及所述挡墙。

11.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述第一绝缘层位于所述保护层靠近外延主体层的一侧；所述第一绝缘层至少包括第一叠层和第二叠层；所述第一叠层位于所述第一绝缘层靠近外延主体层的一侧。

12.根据权利要求11所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述第一叠层包括原子层沉积层；所述第二叠层包括高密度等离子体化学气相沉积层或者等离子体化学气相沉积层。

13.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述外延主体层开设有自第二表面延伸至所述第一半导体层内部的开口；所述开口内设有与所述第一半导体层电性连接的第一电极；所述第二表面设有与所述第二半导体层电性连接的第二电极。

14.根据权利要求13所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述保护层远离外延主体层的一侧设有与所述第一电极电性连接的第一焊盘，以及与所述第二电极电性连接的第二焊盘。